公开(公告)号：CN118613051A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410223244.X

申请日：2024-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋秀娟 ,  姜玧求 ,  朴俓旭 ,  潘有慜 ,  徐昌佑 ,  沈玄哲

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，所述衬底具有多个有源区；位线，所述位线在所述衬底上沿水平方向延伸；绝缘盖图案，所述绝缘盖图案形成在所述位线上并且沿着所述位线延伸；直接接触，所述直接接触设置在形成于所述衬底上的直接接触孔中，并且连接在从所述多个有源区当中选择的第一有源区与所述位线之间；以及间隔物结构，所述间隔物结构接触所述直接接触的侧壁和所述位线的侧壁。所述间隔物结构包括：第一间隔物层，所述第一间隔物层在所述直接接触的所述侧壁和所述位线的所述侧壁上沿垂直方向延伸；以及第二间隔物层，所述第二间隔物层覆盖所述第一间隔物层的至少一部分并且沿所述垂直方向延伸。

公开(公告)号：CN117500268A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310960724.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌佑 ,  沈玄哲 ,  李多仁 ,  宋秀娟 ,  宋定垠 ,  柳原锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，包括沟槽和接触凹陷；直接接触，设置在沟槽内部并具有比沟槽的宽度小的宽度；位线结构，设置在直接接触上并具有比沟槽的宽度小的宽度；间隔物结构，设置在直接接触的侧表面和位线结构的侧表面上；以及掩埋接触，通过间隔物结构与直接接触和位线结构间隔开并填充接触凹陷。间隔物结构包括：氧化物膜，在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；籽晶层，设置在氧化物膜上并在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；以及体层，在籽晶层上填充沟槽并包括硅氮化物。籽晶层包括碳。