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公开(公告)号：CN116741729A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310175891.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可以包括位于衬底上的接触插塞结构以及填充所述接触插塞结构之间的空间以使所述接触插塞结构彼此绝缘的绝缘结构。所述接触插塞结构可以在第一方向上彼此间隔开。所述绝缘结构可以包括第一绝缘图案和第二绝缘图案。所述第二绝缘图案可以包括相对于氧化硅具有蚀刻选择性的绝缘材料。所述第一绝缘图案可以接触所述第二绝缘图案的侧壁的一部分和所述接触插塞结构的侧壁的一部分。所述第一绝缘图案可以包括带隙高于所述第二绝缘图案的带隙的材料。
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