公开(公告)号：CN118613051A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410223244.X

申请日：2024-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋秀娟 ,  姜玧求 ,  朴俓旭 ,  潘有慜 ,  徐昌佑 ,  沈玄哲

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，所述衬底具有多个有源区；位线，所述位线在所述衬底上沿水平方向延伸；绝缘盖图案，所述绝缘盖图案形成在所述位线上并且沿着所述位线延伸；直接接触，所述直接接触设置在形成于所述衬底上的直接接触孔中，并且连接在从所述多个有源区当中选择的第一有源区与所述位线之间；以及间隔物结构，所述间隔物结构接触所述直接接触的侧壁和所述位线的侧壁。所述间隔物结构包括：第一间隔物层，所述第一间隔物层在所述直接接触的所述侧壁和所述位线的所述侧壁上沿垂直方向延伸；以及第二间隔物层，所述第二间隔物层覆盖所述第一间隔物层的至少一部分并且沿所述垂直方向延伸。

公开(公告)号：CN112447588A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010320780.3

申请日：2020-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  李多仁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：导线，形成在基底上；绝缘间隔件，覆盖导线的侧壁并平行于导线延伸；以及导电插塞，与导线间隔开，且绝缘间隔件位于导线与导电插塞之间。绝缘间隔件包括：绝缘衬里，接触导线；外部间隔件，接触导电插塞；以及阻挡层，位于绝缘衬里与外部间隔件之间，以防止氧原子扩散到外部间隔件中。

公开(公告)号：CN116741729A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310175891.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜相敏 ,  姜玧求 ,  徐昌佑 ,  宋秀妍 ,  李多仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括位于衬底上的接触插塞结构以及填充所述接触插塞结构之间的空间以使所述接触插塞结构彼此绝缘的绝缘结构。所述接触插塞结构可以在第一方向上彼此间隔开。所述绝缘结构可以包括第一绝缘图案和第二绝缘图案。所述第二绝缘图案可以包括相对于氧化硅具有蚀刻选择性的绝缘材料。所述第一绝缘图案可以接触所述第二绝缘图案的侧壁的一部分和所述接触插塞结构的侧壁的一部分。所述第一绝缘图案可以包括带隙高于所述第二绝缘图案的带隙的材料。

公开(公告)号：CN119521657A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410845027.4

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜相敏 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟 ,  李多仁

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一有源图案和第二有源图案，其中每个包括中心部分和边缘部分，第一有源图案的中心部分和第二有源图案的边缘部分彼此相邻；在第一有源图案和第二有源图案之间的器件隔离图案；在第一有源图案的中心部分上的位线节点接触；在位线节点接触上的位线；在第二有源图案的边缘部分上的存储节点接触；在位线和存储节点接触之间的位线间隔物；以及在位线间隔物的下部和存储节点接触之间的间隙填充绝缘图案。第一有源图案的中心部分可以包括在其上部中的中心氧化物区。

公开(公告)号：CN114256157A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110646168.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多仁 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  马振源 ,  朴俓旭 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟

IPC: H01L21/8242

Abstract: 公开了一种用于制造包括气隙的半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半导体基底装载到腔室中，半导体基底包括氧化硅膜；通过供应第一硅源材料在氧化硅膜上沉积种子层；在种子层上供应吹扫气体；通过重复第一循环在种子层上沉积保护层，第一循环包括供应基体源材料层和随后供应第一硅源材料；以及通过重复第二循环在保护层上沉积氮化硅膜，第二循环包括供应第二硅源材料和随后供应氮源材料。