公开(公告)号：CN117062448A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310509405.7

申请日：2023-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵虔熙 ,  高昇必 ,  宋胤宗 ,  李吉镐

IPC: H10B61/00

Abstract: 提供了磁性存储器件和包括其的电子设备。磁性存储器件包括：顺序堆叠在第一衬底区域上的第一上绝缘层和第二上绝缘层以及第一模制层；在第一上绝缘层中沿第一方向间隔开的第一初级布线结构和第一次级布线结构；在第二上绝缘层中位于第一初级布线结构上的第二布线结构和位于第一次级布线结构上的参考布线结构；位于第二布线结构上的第一结构；位于参考布线结构上的第二结构；在第一模制层中位于第二布线结构与第一结构之间并且不位于参考布线结构与第二结构之间的下电极接触；位于第一结构上的位线结构；以及位于第二结构上的参考位线结构。第一结构和第二结构均包括下电极、MTJ结构、中间电极和上电极。

公开(公告)号：CN114864627A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210025567.9

申请日：2022-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉镐 ,  高宽协 ,  金容才 ,  裵虔熙

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 磁存储设备包括在衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜的衬底和在该衬底上的第一结构。第一结构包括下电极、下电极上的磁隧道结(MTJ)结构、以及MTJ结构上的上电极。设置封盖膜，该封盖膜在第一模制绝缘膜和第一结构的侧壁上延伸。在第一结构和封盖膜上设置第一蚀刻停止层。设置第二模制绝缘膜，该第二模制绝缘膜至少部分地填充封盖膜和第一蚀刻停止层之间的空间。设置第一金属结构，该第一金属结构延伸穿过第一蚀刻停止层的一部分和第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到MTJ结构。