公开(公告)号：CN107452870A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710303448.4

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉镐 ,  徐基晰 ,  韩胤声 ,  高宽协 ,  宋胤宗

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 一种数据存储器件以及用于制造该数据存储器件的方法提供一种具有优异可靠性且易于制造的数据存储器件。该数据存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底；在外围电路区上的第一导电线；在衬底与第一导电线之间的外围接触插塞，外围接触插塞与第一导电线接触；在单元区上的第二导电线；在衬底与第二导电线之间的多个数据存储结构；以及在衬底与数据存储结构的每个之间以及在衬底与外围接触插塞之间的布线结构。第一导电线包括自衬底具有比第二导电线的底表面的位置更低的位置的底表面。

公开(公告)号：CN108987561B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201810559303.5

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩胤声 ,  高昇必

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及位于所述外围区上的第二部分。所述第二部分的底表面的水平高度低于所述顶盖绝缘层的底表面的水平高度。

公开(公告)号：CN108987561A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810559303.5

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩胤声 ,  高昇必

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/224 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及位于所述外围区上的第二部分。所述第二部分的底表面的水平高度低于所述顶盖绝缘层的底表面的水平高度。