公开(公告)号：CN108288670B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201810022092.1

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 一种磁存储器装置，包括衬底上的磁隧道结图案和磁隧道结图案上的掩模结构。掩模结构包括导电图案和牺牲图案，其中导电图案在磁隧道结图案与牺牲图案之间，牺牲图案包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料。所述装置包括与掩模结构的导电图案的表面接触的上接触插塞。所述装置包括覆盖衬底的单元区和外围电路区的下层间绝缘层，其中单元区上的下层间绝缘层在邻近的磁隧道结图案之间具有凹进的顶表面。

公开(公告)号：CN106159081A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610318799.8

申请日：2016-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑大恩 ,  宋胤宗 ,  申贤哲

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32131 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种形成图案的方法、磁性存储器装置及其制造方法。所述形成图案的方法包括步骤：在衬底上形成蚀刻目标层；将蚀刻目标层图案化以形成图案；利用从第一离子源产生的第一离子束在图案的侧壁上形成绝缘层；以及利用从第二离子源产生的第二离子束去除绝缘层，其中第一离子源和第二离子源中的每一个包括绝缘源，并且其中绝缘源包括氧或氮中的至少一个。

公开(公告)号：CN103794716A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310532721.2

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  吴世忠 ,  裵丙才 ,  郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。

公开(公告)号：CN109037433B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201810586433.8

申请日：2018-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋胤宗 ,  李吉镐 ,  郑大恩

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。

公开(公告)号：CN103794716B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201310532721.2

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  吴世忠 ,  裵丙才 ,  郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。

公开(公告)号：CN109037433A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810586433.8

申请日：2018-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋胤宗 ,  李吉镐 ,  郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。

公开(公告)号：CN108288670A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810022092.1

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L27/222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁存储器装置，包括衬底上的磁隧道结图案和磁隧道结图案上的掩模结构。掩模结构包括导电图案和牺牲图案，其中导电图案在磁隧道结图案与牺牲图案之间，牺牲图案包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料。所述装置包括与掩模结构的导电图案的表面接触的上接触插塞。所述装置包括覆盖衬底的单元区和外围电路区的下层间绝缘层，其中单元区上的下层间绝缘层在邻近的磁隧道结图案之间具有凹进的顶表面。

公开(公告)号：CN115643785A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210649427.9

申请日：2022-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 ,  郑大恩 ,  南垧兑

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖接触插塞的上表面的第一阻挡层，第一阻挡层包括非晶材料；在第一阻挡层上形成下电极层；以及在下电极层上形成磁隧道结结构层。

公开(公告)号：CN111081631A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910806621.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容才 ,  李吉镐 ,  郑大恩 ,  高宽协

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的导电结构、导电结构上的接触插塞以及接触插塞上的磁隧道结结构。接触插塞的下表面的面积可以大于其上表面的面积，并且接触插塞可以包括至少部分地覆盖导电结构的上表面的覆盖图案、覆盖图案上的导电图案以及导电图案上的非晶含金属图案。

公开(公告)号：CN109755380A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811317780.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  金相局 ,  金哉勋 ,  卢恩仙 ,  吴世忠 ,  李成喆 ,  郑大恩

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。