公开(公告)号：CN104252880A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301698.0

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台 ,  朴贤郁 ,  李栽均

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/28

Abstract: 一种读取非易失性存储器设备的方法，包括：向非易失性存储器设备的被选字线施加读取电压；向非易失性存储器设备的未被选字线施加读取通过电压；感测连接到被选字线的存储单元的状态；以及在感测之后向被选字线施加读取通过电压。

公开(公告)号：CN108335714A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810043414.0

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志胤 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G11C7/1042 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/562 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/563 ,  G11C2216/14 ,  H01L27/115 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了非易失性存储器装置、包括其的存储器系统和固态驱动器。所述非易失性存储器装置包括控制逻辑和存储器单元阵列。存储器单元阵列包括第一平面和第二平面。控制逻辑被构造为：在第一平面上执行第一子操作；在第二平面上执行第二子操作；将第二子操作延迟参考时间那么长，以使得第一子操作的一些部分不与第二子操作重叠；以及可变地控制参考时间。

公开(公告)号：CN110556147B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910397250.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞昌渊 ,  金敏洙 ,  朴贤郁 ,  任琫淳

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 公开一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括单元阵列和页缓冲器电路。单元阵列包括分别连接到第一位线和第二位线的第一单元串和第二单元串。页缓冲器电路被配置为：当对第一单元串和第二单元串的存储器单元执行擦除操作时，将擦除电压施加到第一位线并允许第二位线处于浮置状态。

公开(公告)号：CN108335714B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201810043414.0

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志胤 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 提供了非易失性存储器装置、包括其的存储器系统和固态驱动器。所述非易失性存储器装置包括控制逻辑和存储器单元阵列。存储器单元阵列包括第一平面和第二平面。控制逻辑被构造为：在第一平面上执行第一子操作；在第二平面上执行第二子操作；将第二子操作延迟参考时间那么长，以使得第一子操作的一些部分不与第二子操作重叠；以及可变地控制参考时间。

公开(公告)号：CN110556136A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910348734.1

申请日：2019-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镇 ,  朴贤郁 ,  任琫淳 ,  金道彬

IPC: G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

公开(公告)号：CN104282337B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN104282337A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN110556136B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910348734.1

申请日：2019-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镇 ,  朴贤郁 ,  任琫淳 ,  金道彬

IPC: G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

公开(公告)号：CN110556147A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910397250.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞昌渊 ,  金敏洙 ,  朴贤郁 ,  任琫淳

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 公开一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括单元阵列和页缓冲器电路。单元阵列包括分别连接到第一位线和第二位线的第一单元串和第二单元串。页缓冲器电路被配置为：当对第一单元串和第二单元串的存储器单元执行擦除操作时，将擦除电压施加到第一位线并允许第二位线处于浮置状态。

公开(公告)号：CN104252880B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201410301698.0

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台 ,  朴贤郁 ,  李栽均

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/28

Abstract: 一种读取非易失性存储器设备的方法，包括：向非易失性存储器设备的被选字线施加读取电压；向非易失性存储器设备的未被选字线施加读取通过电压；感测连接到被选字线的存储单元的状态；以及在感测之后向被选字线施加读取通过电压。