公开(公告)号：CN106469729B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201610693600.X

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  郭判硕 ,  咸锡准

IPC: H01L27/1157 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

Abstract: 如下提供了一种非易失性存储装置以及包括其的非易失性存储系统。基板具有外围电路。第一半导体层设置在基板上。第一半导体层包括存储单元区。第一栅极结构设置在第一半导体层上。第一栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第一栅电极以及穿过所述多个第一栅电极的多个垂直沟道结构。第一栅极结构布置在存储单元区中。第二栅极结构设置在基底上。第二栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第二栅电极。第二栅极结构布置在存储单元区外部。

公开(公告)号：CN107342291B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201710122841.3

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  任琫淳 ,  朴起台

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括基板、在基板上的存储单元阵列、多个结合焊盘和焊盘电路。存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层以及贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道。所述多个结合焊盘在存储单元阵列的上部的至少一部分上。所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置。焊盘电路在基板和存储单元阵列之间。焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。

公开(公告)号：CN107342291A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710122841.3

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  任琫淳 ,  朴起台

IPC: H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括基板、在基板上的存储单元阵列、多个结合焊盘和焊盘电路。存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层以及贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道。所述多个结合焊盘在存储单元阵列的上部的至少一部分上。所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置。焊盘电路在基板和存储单元阵列之间。焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。

公开(公告)号：CN106469729A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610693600.X

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  郭判硕 ,  咸锡准

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  H01L28/00

Abstract: 如下提供了一种非易失性存储装置以及包括其的非易失性存储系统。基板具有外围电路。第一半导体层设置在基板上。第一半导体层包括存储单元区。第一栅极结构设置在第一半导体层上。第一栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第一栅电极以及穿过所述多个第一栅电极的多个垂直沟道结构。第一栅极结构布置在存储单元区中。第二栅极结构设置在基底上。第二栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第二栅电极。第二栅极结构布置在存储单元区外部。