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公开(公告)号：CN104252880A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410301698.0
申请日：2014-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南尚完 , 朴起台 , 朴贤郁 , 李栽均
IPC: G11C16/06 , G11C16/28
Abstract: 一种读取非易失性存储器设备的方法，包括：向非易失性存储器设备的被选字线施加读取电压；向非易失性存储器设备的未被选字线施加读取通过电压；感测连接到被选字线的存储单元的状态；以及在感测之后向被选字线施加读取通过电压。
公开(公告)号：CN104252880B
公开(公告)日：2019-09-10
