公开(公告)号：CN119225128A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410726821.7

申请日：2024-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳亨周 ,  权徒敬 ,  金相辰 ,  朴昌敏

IPC: G03F7/38 ,  H05B3/00

Abstract: 提供形成光致抗蚀剂图案的方法和烘烤设备。光致抗蚀剂层可形成在基底上。可对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。可在光致抗蚀剂层中在基本上垂直于基底的上表面的竖直方向上有温度梯度的情况下对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤(PEB)工艺。可对光致抗蚀剂层进行显影工艺。

公开(公告)号：CN118841395A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311547973.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正贤 ,  金相辰 ,  朴宰奭 ,  金二权 ,  朴昌敏 ,  柳亨周

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和键区域；虚设有源图案，所述虚设有源图案位于所述键区域上；以及键图案，所述键图案位于所述虚设有源图案中。所述键图案包括在所述衬底的上部处凹陷的键单元。所述键单元包括：低于所述虚设有源图案的顶表面的底表面；以及围绕所述底表面的多个内侧表面。所述内侧表面包括第一内侧表面和与所述第一内侧表面相对的第二内侧表面。所述第二内侧表面的硅原子表面密度与所述第一内侧表面的硅原子表面密度之比率在大约0.9至大约1.1的范围内。