半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116068258A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211314553.5

    申请日:2022-10-25

    Abstract: 公开了一种半导体器件,包括连接到至少一个焊盘的内部电路。第一电感器元件连接在至少一个焊盘和内部电路之间,第二电感器元件耦合到第一电感器元件,并由于在第一电感器元件中流动的过电流而生成感应电压。事件检测电路包括连接到第二电感器元件的监测元件。监测元件被配置为通过感测由在第二电感器元件中生成的感应电压和在第二电感器元件中流动的电流中的至少一个引起的监测元件的特性改变来生成事件检测信号。内部电路向事件检测电路供应操作电压,并通过从事件检测电路接收事件检测信号来确定是否已发生了引起过电流的事件。

    具有多点结构的存储设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117877538A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311015966.8

    申请日:2023-08-11

    Abstract: 提供了一种具有多点结构的存储设备。存储设备包括:存储控制器,被配置为输出数据信号;第一非易失性存储器,被配置为接收数据信号;第一布线,电连接到存储控制器,并且被配置为传送数据信号;第一端接模块,包括将第一布线电连接到电源电压或接地电压中的至少一个的第一阻抗元件;第二布线,电连接到第一布线,并且被配置为将数据信号传送到第一非易失性存储器;以及第三布线,电连接到第一布线,并且被配置为将数据信号传送到第一端接模块。

    电子装置
    3.
    发明公开
    电子装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115360177A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210514696.4

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 一种电子装置,包括:基板;第一板,具有面对所述基板的第一表面的第一内表面以及至少一个第一通孔和至少一个第二通孔;第一半导体封装件和第二半导体封装件,在所述第一表面与所述第一内表面之间彼此间隔开;第一热界面材料层,接触所述第一半导体封装件的上表面和所述第一内表面,并且填充所述至少一个第一通孔的至少一部分;以及第二热界面材料层,接触所述第二半导体封装件的上表面和所述第一内表面,并且填充所述至少一个第二通孔的至少一部分。所述第一热界面材料层的侧表面和所述第二热界面材料层的侧表面中的至少一者暴露于所述第一内表面与所述第一表面之间的空白空间。

    半导体封装
    4.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN115706061A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210954405.3

    申请日:2022-08-10

    Abstract: 一种半导体封装包括封装板、设置在封装板上的至少一个半导体芯片、设置在封装板上并至少部分地围绕所述至少一个半导体芯片的模制构件、以及设置在所述至少一个半导体芯片和模制构件上的散热构件。模制构件具有第一区域和第二区域,多个不平坦结构设置在第一区域中,第二区域通过所述多个不平坦结构与外部区域间隔开。所述多个不平坦结构远离半导体芯片、模制构件和散热构件突出到预定高度,并可以形成为散热构件的一部分、或者被单独地形成。

    制造集成电路的方法和静电放电测试系统

    公开(公告)号:CN114252714A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111093625.3

    申请日:2021-09-17

    Abstract: 在一种涉及执行静电放电(ESD)测试的制造集成电路的方法中,通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括集成电路的第一测试板上来检测弱频带。通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括电磁波接收模块的第二测试板上来检测第一峰峰电压信号。通过将第二电磁波辐射在包括具有电磁波接收模块的第三测试板的壳体上来检测频谱。基于弱频带、第一峰峰电压信号和频谱来产生第二峰峰电压信号。基于第二峰峰电压信号来预测与包括集成电路的电子系统相关联的ESD特性。

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