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公开(公告)号：CN113782670A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110304592.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件，可以包括：沿第一方向延伸的第一导线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二导线；在第一导线和第二导线的交叉点处的单元堆叠；以及覆盖单元堆叠的侧表面的间隙填充绝缘图案。单元堆叠可以包括：顺序地堆叠的第一电极、第二电极和第三电极；第一电极与第二电极之间的开关图案；以及第二电极与第三电极之间的可变电阻图案。间隙填充绝缘图案的顶表面可以位于第三电极的顶表面与底表面之间。
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公开(公告)号：CN111490062A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN110867463B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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公开(公告)号：CN119155998A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410751273.3
申请日：2024-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的位线；字线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，字线在比位线的水平更高的水平处；在位线上的沟道层，沟道层包括垂直部分和延伸部分，垂直部分至少部分地在与字线相同的水平处，延伸部分从垂直部分的上部区域延伸；栅极电介质层，至少部分地在垂直部分和字线之间；以及在延伸部分上的上导电图案，其中延伸部分包括与垂直部分垂直重叠的第一区域和不与垂直部分垂直重叠的第二区域，并且上导电图案具有与延伸部分的侧表面垂直对准的侧表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111490062B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN112701219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN119855143A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410935171.7
申请日：2024-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器装置包括：导线，在第一方向上延伸；沟道区，在导线上方在第一方向上彼此间隔开并且各自电连接到导线；后栅电极，在第三方向上与导线间隔开并且在从沟道区选择的第一沟道区和第二沟道区之间在第二方向上延伸；一对字线，在第一方向上彼此间隔开并且在从沟道区选择的第二沟道区和第三沟道区之间；以及外延直接接触插塞，在沟道区与导线之间在第三方向上延伸并且各自包括接触沟道区中的一个的接触面、至少部分地被导线围绕的突出接触部分、以及在接触面与突出接触部分之间的垂直接触部分。
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公开(公告)号：CN112701219A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110867463A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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