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公开(公告)号：CN114078518A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110737259.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。
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公开(公告)号：CN119031705A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410197691.2
申请日：2024-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和位于单元阵列区域附近的核心区域，单元阵列区域包括暴露有源区的直接接触孔；掩埋接触部，在单元阵列区域中，掩埋接触部连接到存储元件；直接接触部，在单元阵列区域中，该直接接触部包括上层和下层，上层包括金属，并且下层在直接接触孔中与有源区直接接触并且包括该金属的硅化物；位线，与直接接触部的上层接触；以及字线，与位线交叉。
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公开(公告)号：CN115203081A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210025928.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1027
Abstract: 存储控制器与非易失性存储器件通信，并且该存储控制器的操作方法包括：确定第一读取电压是否被注册在历史表处；当确定第一读取电压被注册在历史表处时，基于第一读取电压对存储在非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于第一DMA读取操作获得页计数值；基于页计数值与空闲计数值之差来确定与第一读取电压不同的第二读取电压，而无需针对存储在非易失性存储器件中的数据的附加读取操作；以及基于第二读取电压更新历史表中的第一读取电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111190536B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911105609.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器，存储通过使用读取电平读取与所述多个块的多个参考字线相连的存储器单元而生成的多个接通单元计数和人工神经网络模型；以及控制器，向人工神经网络模型输入所述多个接通单元计数中与目标块对应的接通单元计数和目标块的目标字线的编号，并且使用人工神经网络模型推断用于读取与目标字线相连的存储器单元的数据的多个读取电平。
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公开(公告)号：CN115774657A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211032448.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储设备及操作存储设备的方法。所述操作存储设备的方法包括：接收设置新参数的学习请求；评估关于当前参数的工作负载的性能；响应于所述学习请求使用多个学习模型以及根据所述工作负载的性能评估的性能评估信息来执行机器学习，以推断参数和对应的评估度量之间的关系表达式；使用推断的所述关系表达式来推导新参数；以及将所述新参数应用于固件算法。
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公开(公告)号：CN115904218A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210706541.0
申请日：2022-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法。存储装置包括存储器控制器和存储器装置，其中，存储器控制器的操作方法包括：从主机接收对文件夹的第一模式改变请求，文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位；以及响应于第一模式改变请求，在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置，并使第一数据无效，第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据，其中，第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。
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公开(公告)号：CN114490428A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111265668.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种测量包括多个存储块的非易失性存储器件的耐久性的方法，所述方法包括：周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令；基于所述读取命令，对所述第一存储块周期性地执行读取操作；基于所述读取操作的结果，周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值；响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收，周期性地存储所述耐久性信息，所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。
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公开(公告)号：CN111190536A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911105609.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器，存储通过使用读取电平读取与所述多个块的多个参考字线相连的存储器单元而生成的多个接通单元计数和人工神经网络模型；以及控制器，向人工神经网络模型输入所述多个接通单元计数中与目标块对应的接通单元计数和目标块的目标字线的编号，并且使用人工神经网络模型推断用于读取与目标字线相连的存储器单元的数据的多个读取电平。
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