公开(公告)号：CN115203081A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210025928.X

申请日：2022-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金炫我 ,  金珉奎 ,  林东厚 ,  崔相炫

IPC: G06F12/1027

Abstract: 存储控制器与非易失性存储器件通信，并且该存储控制器的操作方法包括：确定第一读取电压是否被注册在历史表处；当确定第一读取电压被注册在历史表处时，基于第一读取电压对存储在非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于第一DMA读取操作获得页计数值；基于页计数值与空闲计数值之差来确定与第一读取电压不同的第二读取电压，而无需针对存储在非易失性存储器件中的数据的附加读取操作；以及基于第二读取电压更新历史表中的第一读取电压。

公开(公告)号：CN107943712A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710697138.5

申请日：2017-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  姜宇现 ,  金珉奎

IPC: G06F12/02

CPC classification number: H03M13/05 ,  G11C16/26 ,  G11C29/52 ,  H03M13/611 ,  G06F12/0253

Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。

公开(公告)号：CN107943712B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201710697138.5

申请日：2017-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  姜宇现 ,  金珉奎

IPC: G06F12/02

Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。

公开(公告)号：CN115129630A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202111546316.7

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金炫我 ,  金珉奎 ,  姜东协

IPC: G06F13/28 ,  G06F11/10 ,  G06F13/16 ,  G06N20/00 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42

Abstract: 一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法，包括：基于第一读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于所述第一DMA读取操作更新DMA寄存器的页计数值；确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据是否包括不可纠正的错误；当确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据包括不可纠正的错误时，基于所述DMA寄存器的经更新的页计数值确定与所述第一读取电压不同的第二读取电压，而无需对存储在所述非易失性存储器件中的数据进行附加的读取操作；以及基于所述第二读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第二DMA读取操作。