公开(公告)号：CN117520212A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310422983.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金真怜 ,  金炫我 ,  朴世桓 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备被配置为与存储控制器通信，所述方法包括：从存储控制器接收指示读取回收确定并包括环境信息的第一请求，基于第一请求执行第一片上读取操作以用于生成第一分布信息，基于第一分布信息确定是否需要读取回收，以及响应于确定需要读取回收，向存储控制器提供具有第一位值的确定结果。

公开(公告)号：CN109521951B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201811085087.1

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴玄教 ,  卢承京 ,  卢慧悧 ,  宋镇百 ,  李东起 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种特征数据预处理系统包括：数据获取设备，其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据；数据预处理装置，据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据，其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的；以及数据库，其存储从数据预处理装置通信的训练数据。

公开(公告)号：CN117437965A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310301818.6

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  全秀昶 ,  金洙贤 ,  金炫我 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  田炳宽

IPC: G11C29/42 ,  G11C16/34

Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。

公开(公告)号：CN115203081A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210025928.X

申请日：2022-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金炫我 ,  金珉奎 ,  林东厚 ,  崔相炫

IPC: G06F12/1027

Abstract: 存储控制器与非易失性存储器件通信，并且该存储控制器的操作方法包括：确定第一读取电压是否被注册在历史表处；当确定第一读取电压被注册在历史表处时，基于第一读取电压对存储在非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于第一DMA读取操作获得页计数值；基于页计数值与空闲计数值之差来确定与第一读取电压不同的第二读取电压，而无需针对存储在非易失性存储器件中的数据的附加读取操作；以及基于第二读取电压更新历史表中的第一读取电压。

公开(公告)号：CN109521951A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811085087.1

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴玄教 ,  卢承京 ,  卢慧悧 ,  宋镇百 ,  李东起 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0653 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0679 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C29/028 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0638

Abstract: 一种特征数据预处理系统包括：数据获取设备，其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据；数据预处理装置，据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据，其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的；以及数据库，其存储从数据预处理装置通信的训练数据。

公开(公告)号：CN119512443A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410708471.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  李晋永 ,  金志守 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息，所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为在引导或初始化期间从所述非易失性存储器件读取所述快速单元信息，以执行基于快速单元管理策略对快速单元区域进行映射，其中，所述快速单元信息是通过在测试阶段或大量生产评价阶段中执行的所述单次编程获取的，并且在所述存储控制器的固件被运行之前被存储在所述非易失性存储器件中。

公开(公告)号：CN117672311A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310548292.1

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晋永 ,  姜宇现 ,  徐永周 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14

Abstract: 公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。

公开(公告)号：CN115938440A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210858214.7

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  徐荣德 ,  金炫我 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。

公开(公告)号：CN115831200A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210776544.1

申请日：2022-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  徐荣德 ,  金炫我 ,  吴玄教 ,  林东厚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。