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发明公开
半导体存储器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119031705A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410197691.2

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣潒珪 , 崔高鹭 , 金孝燮 , 安濬爀 , 车银京 , 崔东珉 , 崔相炫

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和位于单元阵列区域附近的核心区域，单元阵列区域包括暴露有源区的直接接触孔；掩埋接触部，在单元阵列区域中，掩埋接触部连接到存储元件；直接接触部，在单元阵列区域中，该直接接触部包括上层和下层，上层包括金属，并且下层在直接接触孔中与有源区直接接触并且包括该金属的硅化物；位线，与直接接触部的上层接触；以及字线，与位线交叉。

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