-
公开(公告)号：CN107459516B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201710412902.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/12 , C07D421/04 , C07D471/04 , C07D495/04 , C07D513/04 , C07D513/14 , C07D471/14 , C07D421/14 , C07F7/08 , C07F7/30 , C07D517/04 , H01L51/46 , H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 公开了由化学式1表示的化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。在化学式1中，各取代基与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
-
公开(公告)号：CN118546146A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410209397.9
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D491/048 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D495/04 , C07D517/04 , C07D513/04 , C07D409/14 , C07D421/14 , C07D491/16 , C07D495/16 , H10K85/60 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1至3的任一个表示，并且具有大于或等于约1.55分子/nm3的分子堆积密度。在化学式1至3中，各取代基的定义如说明书中所描述的。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117500331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310929614.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。
-
公开(公告)号：CN109694374B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811227739.0
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07F7/08 , C07F7/30 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K39/32
Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117156917A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310613541.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了嵌入有传感器的显示面板和电子设备，所述电子设备包括所述嵌入有传感器的显示面板。所述嵌入有传感器的显示面板可包括在基板上的光发射元件和光电传感器。所述光发射元件可包括光发射层并且所述光电传感器可包括沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行的光敏层。所述光发射元件和所述光电传感器包括第一公共辅助层的相应部分。所述第一公共辅助层可为沿着所述基板的面内方向且在所述光发射层和所述光敏层的每一个下面连续的。所述光敏层可包括含有氟的p‑型半导体和非富勒烯n‑型半导体。所述非富勒烯n‑型半导体可与所述p‑型半导体形成pn结。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107459516A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710412902.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/12 , C07D421/04 , C07D471/04 , C07D495/04 , C07D513/04 , C07D513/14 , C07D471/14 , C07D421/14 , C07F7/08 , C07F7/30 , C07D517/04 , H01L51/46 , H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L51/0053 , C07B59/002 , C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07D513/04 , C07D517/04 , C07F7/0816 , C09B15/00 , C09B21/00 , C09B23/04 , C09B57/00 , H01L27/307 , H01L51/0062 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , C07D421/12 , C07D513/14 , C07F7/30 , H01L27/14643 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H04N5/2253
Abstract: 公开了由化学式1表示的化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。在化学式1中，各取代基与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
-
-
公开(公告)号：CN109942529B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201811464011.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D307/94 , C07D209/96 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07F7/08 , C07C13/72 , C23C14/12 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K85/20 , H10K30/60
Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1‑R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN111952452A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411126.3
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1-R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]
-
公开(公告)号：CN109942529A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811464011.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D307/94 , C07D209/96 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07F7/08 , C07C13/72 , C23C14/12 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1-R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.028 seconds)
