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公开(公告)号：CN105336754A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510474389.8
申请日：2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/3696 , H04N5/3745
Abstract: 图像像素包括在半导体衬底中形成的多个光电二极管和多个沟槽。每个光电二极管被配置为累积透过微镜头在每个光电二极管处接收到的光的强度相对应的多个光电荷。多个沟槽被配置为将光电二极管彼此电隔离。
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公开(公告)号：CN102883118B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201210246618.7
申请日：2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 在一个实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管，被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点，以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。
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公开(公告)号：CN102025926A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282972.6
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N9/045
Abstract: 图像传感器包括：像素阵列，包括以非红绿蓝(RGB)拜耳图案排列的多个像素；模数转换器，被配置成将从每个像素输出的模拟像素信号转换为数字像素信号；和RGB转换器，被配置成将所述数字像素信号转换为RGB拜耳信号。因此，所述图像传感器可与通用图像信号处理器(ISP)兼容，该通用图像信号处理器接收并处理RGB拜耳信号，而不需要附加的可兼容的设备或模块。
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公开(公告)号：CN101110439B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN1941390B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610138903.1
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 安正查
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包含具有两个图形化半导体层的像素。顶部图形化半导体层包含填充因子基本上为100％的像素的光电元件。底部图形化半导体层包含用于探测、复位、放大和传输从光电元件接收的信号电荷的晶体管。可通过层间绝缘层将顶部和底部图形化半导体层彼此分隔，该层间绝缘层可包含用于传导形成于图形化半导体层内的器件之间以及来自外部器件的信号的金属互连。
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公开(公告)号：CN105529342B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN105390513A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520083.1
申请日：2015-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 提供了以全局快门模式操作的图像传感器的单位像素。所述单位像素包括：光电二极管区域，包括被配置为累积在第一时间段期间从入射光生成的光电荷的光电二极管；以及存储二极管区域，包括被配置为从光电二极管接收和存储光电荷的存储二极管。光电二极管对应于聚焦入射光的微镜。
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公开(公告)号：CN1941390A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610138903.1
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 安正查
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包含具有两个图形化半导体层的像素。顶部图形化半导体层包含填充因子基本上为100％的像素的光电元件。底部图形化半导体层包含用于探测、复位、放大和传输从光电元件接收的信号电荷的晶体管。可通过层间绝缘层将顶部和底部图形化半导体层彼此分隔，该层间绝缘层可包含用于传导形成于图形化半导体层内的器件之间以及来自外部器件的信号的金属互连。
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公开(公告)号：CN105529342A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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