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公开(公告)号：CN112118404B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/705
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN111668245A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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公开(公告)号：CN115207004A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210009703.5
申请日：2022-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。
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公开(公告)号：CN111668245B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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公开(公告)号：CN114979519A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210160125.5
申请日：2022-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包括像素的图像传感器，该像素包括：第一光电二极管；第二光电二极管，具有比第一光电二极管更大的光接收区域；第一浮动扩散节点，累积第一光电二极管的电荷；第二浮动扩散节点，累积第二光电二极管的电荷；电容器，累积从第一光电二极管溢出的电荷；第一开关晶体管，具有连接到第一浮动扩散节点的第一端和连接到电容器的第二端；以及驱动晶体管，被配置为将累积的电荷转换成像素信号，第一开关晶体管在第一光电二极管的读出部分的低转换增益(LCG)模式下导通，并且在第一光电二极管的读出部分的高转换增益(HCG)模式下关断，并且读出电路基于来自第一部分和第二部分的像素信号生成图像数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242449A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711346652.0
申请日：2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括：包含共用像素的像素区域，其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组，其中，当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
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公开(公告)号：CN104051483B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410053535.5
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。
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公开(公告)号：CN108242449B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201711346652.0
申请日：2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括：包含共用像素的像素区域，其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组，其中，当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
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公开(公告)号：CN110072069B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN111627946A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010122853.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 图像传感器包括偏振器阵列和深度像素阵列。偏振器阵列可包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素，并且可包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中的偏振光栅。第一单位像素至第四单位像素的偏振光栅可具有彼此不同的偏振方向。深度像素阵列可包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素。深度像素中的每一个可包括光电转换装置和共同连接至光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。
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