半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105590924B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201510750308.2

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括:在基板上的层间绝缘层;第一电容器结构,在层间绝缘层中;以及导电层,包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层,该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105590924A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201510750308.2

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括:在基板上的层间绝缘层;第一电容器结构,在层间绝缘层中;以及导电层,包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层,该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

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