公开(公告)号：CN105590924A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510750308.2

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫锡 ,  朴钟宇 ,  朴哲镛 ,  尹贞元

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

公开(公告)号：CN106169455A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610339980.7

申请日：2016-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  金田中 ,  朴哲镛

IPC: H01L23/488

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括基板、多个第一接触插塞、第一通路和电源轨。基板可以包括第一单元区域和第二单元区域以及电源轨区域。第一单元区域和第二单元区域可以设置在第二方向上，并且电源轨区域可以设置在第一单元区域和第二单元区域之间。该多个第一接触插塞可以形成在基板的电源轨区域上，并可以在交叉第二方向的第一方向上彼此间隔开第一距离。第一通路可以共同地接触该多个第一接触插塞的顶表面。电源轨可以形成在第一通路上。电源轨可以通过第一通路和第一接触插塞向第一单元区域和第二单元区域提供电压。

公开(公告)号：CN105590924B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201510750308.2

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫锡 ,  朴钟宇 ,  朴哲镛 ,  尹贞元

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。