公开(公告)号：CN101241899A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008838.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  金泰范

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及布线层中具有热成型气隙的半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件的单元布线级包括：在支承层上互相分开的第一和第二布线层；大间隔，与该第一布线层相邻形成，并且包括第一气隙和形成在该支承层上的热可降解材料层的一部分，该第一气隙具有从该第一布线层的侧壁测量的预定宽度；小间隔，形成在该第一与第二布线层之间，其中该小间隔小于该大间隔，而且第二气隙至少部分地填充该小间隔；以及多孔绝缘层，形成在该第一和第二气隙上。

公开(公告)号：CN101339539B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN200810131985.6

申请日：2008-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪性百 ,  南惠贞 ,  罗世郁 ,  李时润 ,  金泰范

IPC: G06F12/08 ,  G06F3/06

CPC classification number: G11C16/26 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/2022

Abstract: 公开了一种具有非易失性存储器和缓冲存储器的存储系统及读取方法。在包括缓冲存储器和非易失性存储器的存储系统中读取数据的方法包括：确定在读取请求中的输入地址是否被分配到缓冲存储器；确定请求的数据的大小是否大于参考，除非输入地址被分配给缓冲存储器；以及如果请求的数据大小大于参考，则从非易失性存储器进行预取读取操作。

公开(公告)号：CN101339539A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810131985.6

申请日：2008-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪性百 ,  南惠贞 ,  罗世郁 ,  李时润 ,  金泰范

IPC: G06F12/08 ,  G06F3/06

CPC classification number: G11C16/26 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/2022

Abstract: 公开了一种具有非易失性存储器和缓冲存储器的存储系统及读取方法。在包括缓冲存储器和非易失性存储器的存储系统中读取数据的方法包括：确定在读取请求中的输入地址是否被分配到缓冲存储器；确定请求的数据的大小是否大于参考，除非输入地址被分配给缓冲存储器；以及如果请求的数据大小大于参考，则从非易失性存储器进行预取读取操作。

公开(公告)号：CN101241899B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810008838.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  金泰范

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及布线层中具有热成型气隙的半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件的单元布线级包括：在支承层上互相分开的第一和第二布线层；大间隔，与该第一布线层相邻形成，并且包括第一气隙和形成在该支承层上的热可降解材料层的一部分，该第一气隙具有从该第一布线层的侧壁测量的预定宽度；小间隔，形成在该第一与第二布线层之间，其中该小间隔小于该大间隔，而且第二气隙至少部分地填充该小间隔；以及多孔绝缘层，形成在该第一和第二气隙上。