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公开(公告)号：CN110911386B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910402840.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法。所述半导体装置包括半导体裸片、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体裸片包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的端节点。
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公开(公告)号：CN107564557A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710505338.6
申请日：2017-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F1/3296 , G06F1/3275 , G06F1/3287 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C7/1084 , G11C29/021 , G11C29/022 , G11C29/028 , Y02D10/14
Abstract: 提供一种接收接口电路和包括接收接口电路的存储器系统。所述接收接口电路包括：接收缓冲器、电压产生电路和接收限制电路。接收缓冲器通过输入-输出节点接收输入信号以产生缓冲信号。电压产生电路基于在输入-输出节点的反射特性产生至少一个控制电压。接收限制电路连接到输入-输出节点，并基于所述至少一个控制电压，限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个。可通过使用接收限制电路基于在输入-输出节点的反射特性来限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个，来降低功耗，并且相比于具有相同功耗的传统终结电路，可提供增加的眼图容限。
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公开(公告)号：CN112486866B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010676592.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了接口电路、存储装置、存储设备及操作存储装置的方法。一种包括多个存储器裸片的存储装置的接口电路包括：分别与所述多个存储器裸片相对应的多个寄存器，所述多个寄存器均被配置为存储与数据操作命令有关的命令信息；解复用器电路，被配置为：将输入命令信息提供给根据第一地址或第一芯片选择信号中的至少一者从所述多个寄存器当中选择的寄存器，所述输入命令信息是从所述接口电路的外部接收的；以及复用器电路，被配置为：根据第二地址或第二芯片选择信号中的至少一者从自所述多个寄存器当中选择的寄存器接收输出命令信息，并输出所述输出命令信息。
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公开(公告)号：CN112491398A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010699788.5
申请日：2020-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K3/017
Abstract: 提供了一种参数监测电路、占空比校正电路和阻抗校准电路。所述参数监测电路包括：代码生成电路，被配置为生成被施加了第一偏移的第一代码以及被施加了第二偏移的第二代码；参数调整电路，被配置为通过分别将所述第一代码和所述第二代码应用于当前参数来生成第一参数和第二参数；比较器电路，被配置为生成第一比较结果和第二比较结果，所述第一比较结果指示所述第一参数与参考参数值之间的比较结果，并且所述第二比较结果指示所述第二参数与所述参考参数值之间的比较结果；以及参数误差检测电路，被配置为基于所述第一比较结果和所述第二比较结果来检测所述当前参数的误差。
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公开(公告)号：CN111223504A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911141353.2
申请日：2019-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种接口芯片包括：命令解码器，被配置为基于时钟信号解码被包括在数据输入/输出信号中的命令；时钟掩蔽电路，被配置为生成掩蔽时钟信号，该掩蔽时钟信号包括与时钟信号的第一边沿至第n边沿(n是2或更大的整数)当中的第一边沿相对应的边沿；时钟延迟电路，被配置为向外部芯片发送延迟时钟信号，该延迟时钟信号包括与时钟信号的第二边沿至第n边沿相对应的边沿；芯片选择电路，被配置为基于被包括在数据输入/输出信号中的地址和掩蔽时钟信号生成芯片选择信号；以及芯片使能控制电路，被配置为接收指示数据输入/输出信号的通道的芯片使能信号，并且基于芯片选择信号将芯片使能信号发送到外部芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107274921A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710211305.0
申请日：2017-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/4401 , G11C5/147
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置、一种存储器系统和一种半导体装置的基准电压自训练方法。所述半导体装置至少包括第一存储器芯片，所述第一存储器芯片至少包括：连接为接收输入信号和基准电压的第一缓冲器；第一基准电压发生器，其构造为基于第一控制代码输出基准电压；以及第一自训练电路，用于确定在半导体装置的正常操作模式期间使用的工作基准电压。来自第一缓冲器的输出被输入至第一自训练电路，将第一控制代码从第一自训练电路输出到第一基准电压发生器中，并且第一缓冲器、第一自训练电路和第一基准电压发生器形成回路。
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公开(公告)号：CN109802681B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811364521.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体设备，包括：参考电压生成器，被配置为输出参考电压。参考电压生成器包括升压码电路和第一数字‑模拟转换器(DAC)。升压码电路包括被配置为生成第一升压脉冲的第一升压脉冲生成器和被配置为基于参考码和第一升压脉冲输出第一升压码的第一升压码控制器。第一DAC被配置为通过转换第一升压码来输出参考电压。当第一升压脉冲具有第一逻辑电平时，第一升压码具有与参考码不同的第一码值，并且当第一升压脉冲具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时，第一升压码具有与参考码相同的值。
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公开(公告)号：CN110853691A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910767638.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
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公开(公告)号：CN107293320A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710129322.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G06F13/12 , H03K19/0175 , H04B1/40
CPC classification number: H04B1/24 , H04L25/0292 , H04L25/0298 , H04L25/03847 , H04L25/03878 , H04L47/6235 , H04L49/90 , G11C7/1048 , G06F13/122 , G11C7/1006 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , H03K19/017518 , H04B1/40
Abstract: 接收接口电路包括终止电路、缓冲器和接口控制器。终止电路被配置为响应于终止控制信号来改变终止模式。缓冲器被配置为响应于缓冲器控制信号来改变接收特性。接口控制器被配置为生成终止控制信号和缓冲器控制信号，使得缓冲器的接收特性与终止模式的改变相关联地改变。接收接口电路可以通过与终止模式相关联地改变缓冲器的接收特性来支持各种通信标准。使用接收接口电路，可以改善诸如存储系统的收发机系统的通信效率和/或发射机设备与接收机设备之间的兼容性。
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