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公开(公告)号：CN106537564B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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公开(公告)号：CN105051872B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201480017656.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/02 , C08K5/09 , C08L79/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C08K5/0091 , C08L79/02 , C09J179/04 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。
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公开(公告)号：CN1630646A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803736.X
申请日：2003-02-07
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C07D249/08 , C07D405/12 , C07D401/06 , C07D417/06
CPC classification number: C07D233/56 , C07D231/12 , C07D233/54 , C07D249/08 , Y02P20/55
Abstract: 本发明提供一种医农药领域中有用的化合物，特别是在具有旋光性的吡咯系抗真菌剂制造过程中极为重要的中间体的旋光性2－苯基－2，3－二羟基丙基吡咯衍生物的制造方法，和该制造方法中新颖的中间体。以通式(1)表示的旋光性的α－羟基羧酸衍生物为出发原料，与吡咯乙酸衍生物(2)反应，制造新颖的旋光性吡咯烷基酮(3)衍生物。进而通过将保护基与有机金属试剂(4)组合，利用高非对映立体异构选择性的烷基化反应，制造新颖的旋光性的吡咯甲醇衍生物(5)。然后在进行选择性脱去保护的情况下，制造旋光性的2－苯基－2，3－二羟基丙基吡咯衍生物(6)。本发明可以提供一种新颖的旋光性的吡咯烷基酮衍生物和新颖的旋光性吡咯甲基醇衍生物的制造方法，能在短的工序中廉价而稳定地制造2－苯基－2，3－二羟基丙基吡咯衍生物。
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公开(公告)号：CN111902162A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021757.X
申请日：2019-03-29
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 赛威德医疗公司
IPC: A61K47/54 , A61K45/00 , C07D519/00 , G01N33/53
Abstract: 本发明的技术课题在于提供在用于向经链霉亲和素标记化的物质递送药物的用途中有用的双亚氨基生物素化合物，其具有用于将双亚氨基生物素部分与药剂、荧光化合物简便地键合的结构。达成本发明的技术课题的双亚氨基生物素化合物由下述通式9表示。(式中，A、D、E为将2个双环键合的间隔基团，E表示可形成支链的结构，各自可以具有取代基，可形成环结构。J表示用于进行点击反应的官能团，G表示将E与J键合的间隔基团，R表示氢、乙酰基、苄基、三氟乙酰基或Boc基。)
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公开(公告)号：CN106537564A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101990528B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980112669.7
申请日：2009-04-07
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C07C37/07 , C07C39/08 , C07C45/62 , C07C45/66 , C07C49/497 , C07C49/713 , C07B53/00 , C07B61/00
CPC classification number: C07B53/00 , C07C37/07 , C07C45/62 , C07C45/66 , C07C51/00 , C07C2601/14 , C07C2601/16 , C07C39/08 , C07C49/497 , C07C49/713
Abstract: 本发明涉及儿茶酚的制备方法，所述方法通过将(4S，5R，6S)-4，5，6-三羟基-2-环己烯-1-酮在氢还原条件下在单罐中一边加热一边使其反应来制备儿茶酚。
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公开(公告)号：CN101990528A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200980112669.7
申请日：2009-04-07
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C07C37/07 , C07C39/08 , C07C45/62 , C07C45/66 , C07C49/497 , C07C49/713 , C07B53/00 , C07B61/00
CPC classification number: C07B53/00 , C07C37/07 , C07C45/62 , C07C45/66 , C07C51/00 , C07C2601/14 , C07C2601/16 , C07C39/08 , C07C49/497 , C07C49/713
Abstract: 本发明涉及儿茶酚的制备方法，所述方法通过将(4S，5R，6S)-4，5，6-三羟基-2-环己烯-1-酮在氢还原条件下在单罐中一边加热一边使其反应来制备儿茶酚。
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公开(公告)号：CN104412376B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201380036029.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C09D179/02 , C09K13/00 , H01L21/02063 , H01L21/02093 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02334 , H01L21/02343 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/56 , H01L21/76831 , H01L23/3185 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。
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公开(公告)号：CN104081503B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201380005535.1
申请日：2013-01-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/04 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/532
CPC classification number: C08G73/0206 , C08G73/0213 , C08G73/0226 , C08G2190/00 , C09J179/02 , C09K3/1006 , C09K2003/1087 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。
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公开(公告)号：CN105051872A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017656.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/02 , C08K5/09 , C08L79/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C08K5/0091 , C08L79/02 , C09J179/04 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。
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