公开(公告)号：CN119816782A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380061968.2

申请日：2023-08-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 伊藤健 ,  种市大树 ,  高村一夫 ,  大久保敦

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/82 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开中，异物去除装置具备：产生真空紫外光的真空紫外光产生部；用于对防护膜照射所述真空紫外光的照射容器；以及向所述照射容器供给非活性气体的气体供给部。所述照射容器具有：照射室，其设置有用于供给所述非活性气体的气体供给口和用于排出所述非活性气体的气体排出口；透过部，其位于所述照射室的边界处，使所述真空紫外光透过；和载台，其配置于所述照射室内且用于载置所述防护膜。所述气体供给部与所述气体供给口连接。

公开(公告)号：CN112154376B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201980031898.X

申请日：2019-06-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 石川彰 ,  大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/673

Abstract: 提供支撑框、在该支撑框上设置有极紫外光光刻用的防护膜的防护膜组件、和支撑框的制造方法、以及使用它们的曝光原版和曝光装置，该支撑框在通气孔上设置有能够容易装卸的过滤器，并能够设置极紫外光光刻用的防护膜。提供的防护膜组件用支撑框，具有第一支撑框部、第二支撑框部和过滤器，所述过滤器具有平板状的框形状，被所述第一支撑框部和所述第二支撑框部夹持，所述第一支撑框部具有：第一主体部，具有平板状的框形状；以及第一卡合部，从所述第一主体部向所述防护膜组件用支撑框的厚度方向突出，所述第二支撑框部具有：第二主体部，具有平板状的框形状；以及第二卡合部，配置在所述第二主体部的沿所述防护膜组件用支撑框的厚度方向设置的凹部，并与所述第一卡合部卡合。

公开(公告)号：CN115836248A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180047315.X

申请日：2021-08-03

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  大久保敦 ,  高村一夫

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明的课题在于提供能抑制防护膜劣化的防护膜组件和曝光原版。防护膜组件包含：包含碳含有率为40质量％以上的碳系膜的防护膜(12)、支撑防护膜(12)的支撑框(14)、以及含有粘接剂的粘接剂层(15)；在23℃、1×10‑3Pa以下的气氛下，水系释气的合计量为5.0×10‑4Pa·L/sec以下。

公开(公告)号：CN115004108A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009908.7

申请日：2021-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  高村一夫 ,  石川比佐子 ,  小野阳介 ,  藤井泰久 ,  吉川弥 ,  松本信子 ,  出口朋枝

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。

公开(公告)号：CN112088334A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980017088.9

申请日：2019-03-01

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫 ,  大久保敦 ,  种市大树 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有：防护膜(101)；支撑上述防护膜的支撑框(103)；设置于上述支撑框的突起部(105)；设置于上述突起部的第1粘接层(107)；以及无机物层，上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109)，上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。

公开(公告)号：CN109416505A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780042244.8

申请日：2017-06-30

Applicant: 日本轻金属株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 田口喜弘 ,  高村一夫 ,  种市大树

IPC: G03F1/64 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C25D11/04 ,  C25D11/14 ,  C25D11/18 ,  G03F1/84 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供：一种能够有效地抑制因贴附防护膜组件(1)而引起的曝光原版(8)的变形、且不具有复杂形状的防护膜框架(2)；使用该防护膜框架的防护膜组件；以及，能够降低在聚光灯下表面晃眼的缺陷、且为了容易地进行使用前的异物附着检查等而黑色化的防护膜框架的制造方法。一种防护膜框架，其特征在于：在铝合金制框架的表面具有阳极氧化膜，该铝合金制框架由铝合金构成，该铝合金含有5.0～10.0质量％的Ca且剩余部分为铝和不可避免的杂质，该铝合金中作为分散相的Al4Ca相的面积(体积)率为25％以上，该Al4Ca相的一部分的晶体结构是单斜晶，并且，分散于阳极氧化膜的Al4Ca相被阳极氧化，阳极氧化膜被黑色染料染色。

公开(公告)号：CN109313385A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035395.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫 ,  藤井泰久 ,  吉川弥

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明提供防护膜组件的制造方法，在基板(200)上形成防护膜(202)，在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204)，从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分，除去上述金属掩模。根据本发明的一个实施方式，本发明能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106462052A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023964.0

申请日：2015-05-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫

IPC: G03F1/62

Abstract: 防护膜具有由有机系材料和无机系材料形成的膜片，在该膜片的同一平面上存在包含有机系材料的区域和由无机系材料形成的区域，至少上述膜片的中心部为由无机系材料形成的区域，并且，至少上述膜片的周端部为包含有机系材料的区域。

公开(公告)号：CN101015050B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。