-
公开(公告)号:CN119811881A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411996975.4
申请日:2024-12-31
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体扩散源、R‑T‑B磁体材料及其制备方法、应用。该R‑T‑B磁体扩散源组成包括R1xR2yMz,R1为轻稀土元素,R1包括Nd、Pr和Ce中的一种或多种;R2为重稀土元素,R2包括Dy和/或Tb;M为非稀土金属元素,M包括Al、Cu、Ga和Co中的一种或多种;x、y、z为对应元素的质量百分比,x=20‑80wt.%,y=10‑85wt.%,z=1‑30wt.%;所述R‑T‑B磁体扩散源为合金。本发明中开发了新型扩散源,经晶界扩散处理后可使磁体材料的矫顽力得到较大幅度提升,且可降低重稀土用量、提高重稀土利用率。
-
公开(公告)号:CN119661217A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411729590.1
申请日:2024-11-28
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
IPC: C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法和应用。其包括基质层和与之接触连接的表面强化层;所述钇稳定氧化锆陶瓷材料中包括单斜相氧化锆、四方相氧化锆和钇离子;其中,在沿表面强化层的上表面到基质层的下表面的方向上,所述单斜相氧化锆的含量呈梯度降低,所述表面强化层的上表面是指表面强化层中,表面强化层与基质层接触面的相对面;所述基质层的下表面是指基质层中,表面强化层与基质层接触面的相对面。本发明提供的钇稳定氧化锆陶瓷材料具有高强度,并且制备工艺简单。
-
公开(公告)号:CN119588898A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202311125634.5
申请日:2023-09-01
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
IPC: B22D11/06 , H01F41/02 , H01F1/057 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C38/10 , C22C38/12 , B22D11/18 , B22D11/22
Abstract: 本发明公开了一种速凝片及其制备方法和应用。速凝片的制备方法包括如下步骤:将合金液浇铸至经激光打磨的冷却辊的外表面,合金液经过冷却后形成速凝片;冷却辊的外表面的粗糙度为1.6‑3.8μm。通过本申请的制备方法,改善了速凝片的耐腐蚀性能,且在速凝片的制备过程中,环境粉尘改善90%以上,噪音改善80%以上,可提高速凝片的冷却速度,且得到的速凝片的冷却度和形核率均较高,且含有细小柱状晶,富钕相均匀分布,使得后续制得的磁体具有较高的磁性能。
-
公开(公告)号:CN119571105A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411547164.6
申请日:2024-10-31
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种稀土铝中间合金、稀土铝合金粉体及其制备方法。该稀土铝中间合金的制备方法包括如下步骤:S1.将金属铝和稀土金属分别熔融得到金属铝熔体和稀土金属熔体;所述金属铝和稀土金属的质量比为(0.5‑5.5):1;S2.将步骤S1得到的金属铝熔体和稀土金属熔体分别雾化处理,混合后得到稀土铝中间合金;所述金属铝熔体和所述稀土金属熔体的流量比为(0.5‑5.5):1。该制备方法的流程较短,该生成的稀土铝合金粉体的颗粒尺寸小,纯度高且成分均匀,能够有效改善稀土铝合金靶材制备过程中因粉体成分导致的异常电弧放电和晶粒尺寸不均匀的问题。
-
公开(公告)号:CN119480312A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411642554.1
申请日:2024-11-15
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括R1‑O‑F富集区,R1‑O‑F富集区位于从距钕铁硼磁体的表面垂直距离为100μm处至钕铁硼磁体的中心处的区域内,其中,R1为Pr、Nd、Gd和Ho中的一种或多种;R1‑O‑F富集区的体积分数为1%‑5%,其中,体积分数的含义为R1‑O‑F富集区的体积占钕铁硼磁体总体积的百分比。本发明的钕铁硼磁体具有优异的剩磁、矫顽力、Hd5和高温方形度。
-
公开(公告)号:CN119426508A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411694024.1
申请日:2024-11-25
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铝钪靶材及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:将放置有铝钪铸锭的模具在真空度为10‑3~10‑2 Pa的条件下进行热压保温处理,再经过后处理得到铝钪靶材;其中,热压保温处理的压力为25‑60 MPa;热压保温处理的温度为610‑1200℃;热压保温处理的时间为2~10 h;铝钪铸锭的侧面与模具内壁面之间的距离小于等于1mm。该制备方法具有短流程、低成本的特点,并且制得的铝钪靶材具有较低的氧含量、较高的相对密度和较低的内部缺陷。
-
公开(公告)号:CN118516555A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410686251.3
申请日:2024-05-29
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 一种从低浓度稀土废液中回收稀土的方法,包括以下步骤:a)将低浓度稀土废液与氨基膦酸树脂接触,进行树脂吸附反应,分别得到富稀土树脂和吸附后液;b)将步骤a)得到的富稀土树脂与低钛溶液接触,进行一段解吸反应,分别得到富稀土溶液和一段解吸树脂;c)将步骤b)得到的一段解吸树脂与高钛溶液接触,进行二段解吸反应,分别得到二段解吸液和富钛树脂;d)将步骤c)得到的富钛树脂与过氧化氢盐酸混合溶液接触,进行树脂再生反应,分别得到再生氨基膦酸树脂和钛配合物溶液;e)将步骤d)得到的钛配合物溶液进行陈化分解,释放氧气,得到再生高钛溶液。本发明基于强化的解吸工艺使氨基膦酸树脂循环用于低浓度稀土的回收。
-
公开(公告)号:CN118486516A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410711512.2
申请日:2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区;过渡区与易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96):1;过渡区与非易退磁区的Tb的含量比为1:(0‑0.93);过渡区与易退磁区的Dy的含量比为1:1;过渡区与非易退磁区的Dy的含量比为1:1。该钕铁硼磁体具有优异的抗退磁能力。
-
公开(公告)号:CN118471636A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410711497.1
申请日:2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中:第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同;第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的重稀土的含量相同;所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9):1;所述第一易退磁区与所述非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9):1;所述第一过渡区和所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下,降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减,抗退磁性能良好。
-
公开(公告)号:CN118398369A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410710574.1
申请日:2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明提供磁体粘结装置和磁体粘结方法,其中磁体粘结装置被构造为能使多个磁体粘结为一个磁体组件,装置包括:底座、阻挡部位、施压部位;底座被构造为能将磁体吸附在其表面上;阻挡部位被构造为当磁体与其抵接时,能抑制磁体在力的作用下运动;施压部位能相对阻挡部位进行运动,能对磁体施加作用力,使多个磁体直接或间接与阻挡部位抵接;装置还包括侧边部位,侧边部位能将磁体吸附在其表面上;底座对磁体产生纵向吸附,侧边部位对磁体产生横向吸附。通过采用本发明的技术方案,能够抑制磁体在粘结过程中发生飞弹,确保磁体按照计划的顺序依次粘贴,且整个装置操作方便,方法简单,粘结得到的磁体组件规整。
-
-
-
-
-
-
-
-
-