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公开(公告)号：CN118486516A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410711512.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区；过渡区与易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96)：1；过渡区与非易退磁区的Tb的含量比为1：(0‑0.93)；过渡区与易退磁区的Dy的含量比为1：1；过渡区与非易退磁区的Dy的含量比为1：1。该钕铁硼磁体具有优异的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN118471636A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410711497.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中：第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的重稀土的含量相同；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一易退磁区与所述非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一过渡区和所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1)：1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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公开(公告)号：CN117727522A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311703655.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb和Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb或Dy跨区互扩散，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN118748112A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410921512.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区。钕铁硼磁体的制备方法包括下述步骤：在钕铁硼基材上，分别在垂直于Z轴方向的上表面和/或下表面施加扩散源，进行平行于取向方向的晶界扩散；其中，在上表面和下表面全部区域上施加扩散源Dy，在沿Z轴方向的外缘环形区域施加扩散源Tb，形成易退磁区、过渡区和非易退磁区。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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公开(公告)号：CN118486517A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410716346.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中，第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的Tb的含量相同；第一易退磁区、过渡区和非易退磁区的Dy的含量相同且不为0；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb含量比为(0‑0.9)：1；所述第一过渡区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119650230A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311159835.7
申请日：2023-09-08
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。其包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区，第一易退磁区、第二易退磁区、非易退磁区、第一过渡区和第二过渡区均为矩形；第一易退磁区与第二易退磁区的HRE质量浓度相同；第一过渡区与第二过渡区的HRE质量浓度相同；非易退磁区与第一易退磁区的HRE质量浓度比为(0.3‑0.95)：1；第一过渡区与第一易退磁区HRE质量浓度比为(0.9‑1)：1；其中，HRE为Dy或Tb。该磁体通过易退磁区、过渡区和不易退磁区之间的HRE含量的配合，在节约HRE用量的前提下，还能够提高钕铁硼磁体的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN119601330A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311125217.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。其包括沿垂直于充磁方向依次排布的第一易退磁区、非易退磁区和第二易退磁区；非易退磁区与第一易退磁区的矫顽力比值为(0.7‑1)：1，且不为1：1，第一易退磁区和所述第二易退磁区的矫顽力相同；第一易退磁区和第二易退磁区中的重稀土元素的浓度相同，在第一易退磁区中，△4为1‑1.3；在非易退磁区中，△1为1‑1.2，△2为1‑1.25，△3为1‑1.3。该钕铁硼磁体可以在降低钕铁硼磁体的重稀土用量的前提下，保证高矫顽力、高热稳定性、高方形度和高磁矩。
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公开(公告)号：CN118471637A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410711557.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区的重稀土含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区的重稀土含量相同；非易退磁区与第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9):1；第一易退磁区与非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9):1；第一过渡区和第一易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，具有良好的抗退磁性能。
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公开(公告)号：CN119601331A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311125628.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。其包括沿垂直于充磁方向依次排布的第一易退磁区、非易退磁区和第二易退磁区；非易退磁区与第一易退磁区的矫顽力比值为(0.7‑1)：1，且不为1：1，第一易退磁区和第二易退磁区的矫顽力相同；重稀土元素的分布均满足距表层垂直距离为0.5mm位置处和1mm位置处的重稀土元素的浓度比值△1为1～1.2；距表层垂直距离为1mm位置处和1.5mm位置处的重稀土元素的浓度比值△2为1～1.25；距表层垂直距离为1.5mm位置处和2mm位置处的重稀土元素的浓度比值△3为1～1.3。该钕铁硼磁体可以在降低钕铁硼磁体的重稀土用量的前提下，保证高矫顽力、高热稳定性、高方形度和高磁矩。
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公开(公告)号：CN119601329A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311125207.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体包括易退磁区、非易退磁区和粘接区，其中，所述易退磁区的体积占所述钕铁硼磁体总体积的15％‑50％；其中，所述粘接区的体积占所述钕铁硼磁体总体积的0.5％‑4.0％；其中，所述非易退磁区矫顽力与所述易退磁区矫顽力的比值为0.7‑1。本发明提供的钕铁硼磁体可实现在大幅减少成本的同时，保持良好的抗退磁性能。
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