公开(公告)号：CN118471638A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410716300.3

申请日：2024-06-03

Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司

Inventor： 李可 ,  汤志辉 ,  许德钦 ,  付刚 ,  谢志兴 ,  黄佳莹 ,  尤志军

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述第三易退磁区和所述第四易退磁区中的重稀土的含量相同；所述第一过渡区、所述第二过渡区、所述第三过渡区和所述第四过渡区中的重稀土的含量相同；所述第一易退磁区、第一过渡区和所述非易退磁区的Dy的含量相同且不为0；所述第一过渡区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1):1；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb含量比为(0‑0.9):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。

公开(公告)号：CN118471636A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410711497.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司

Inventor： 李可 ,  汤志辉 ,  许德钦 ,  付刚 ,  谢志兴 ,  黄佳莹 ,  尤志军

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中：第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的重稀土的含量相同；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一易退磁区与所述非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一过渡区和所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1)：1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。