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公开(公告)号：CN118486516A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410711512.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区；过渡区与易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96)：1；过渡区与非易退磁区的Tb的含量比为1：(0‑0.93)；过渡区与易退磁区的Dy的含量比为1：1；过渡区与非易退磁区的Dy的含量比为1：1。该钕铁硼磁体具有优异的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN118471636A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410711497.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中：第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的重稀土的含量相同；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一易退磁区与所述非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9)：1；所述第一过渡区和所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1)：1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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公开(公告)号：CN110899694B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911379278.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了用于制备花边磁钢的模具、取向成型压机及其方法。该模具包括前侧板、后侧板、左侧板和右侧板；所述前侧板、所述后侧板、所述左侧板和所述右侧板围成一上下开口的型腔；其中，所述左侧板和所述右侧板的材料均为非导磁材料；其中，所述前侧板与所述后侧板靠近型腔一侧的中心区域均为导磁区域，同时除中心区域以外的区域均为不导磁区域；所述导磁区域的宽度与所述型腔的宽度相等，形状与所述花边磁钢相应。本发明制备的花边磁钢，在保证其具有高剩磁(剩磁≥13.5kGs)、质量高(裂纹率低)、磁学性能优异(Hcj≥24kOe、Hcb≥12.5kOe、最大磁能积≥43.5MGOe)的同时，能够简化工序、增加收率，降低成本。
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公开(公告)号：CN117727522A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311703655.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb和Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb或Dy跨区互扩散，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118471639A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410716331.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区；过渡区与易退磁区的Tb的含量比为(0.7‑1)：1；过渡区与非易退磁区的Tb的含量比为1：(0‑0.9)；过渡区与易退磁区的Dy的含量比为(0‑1)：(0‑0.9)；过渡区与非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.98)：1。该钕铁硼磁体具有优异的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN118471638A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410716300.3
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述第三易退磁区和所述第四易退磁区中的重稀土的含量相同；所述第一过渡区、所述第二过渡区、所述第三过渡区和所述第四过渡区中的重稀土的含量相同；所述第一易退磁区、第一过渡区和所述非易退磁区的Dy的含量相同且不为0；所述第一过渡区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.8‑1):1；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb含量比为(0‑0.9):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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公开(公告)号：CN118471637A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410711557.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区的重稀土含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区的重稀土含量相同；非易退磁区与第一易退磁区的Tb的含量比为(0‑0.9):1；第一易退磁区与非易退磁区的Dy的含量比为(0‑0.9):1；第一过渡区和第一易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，具有良好的抗退磁性能。
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公开(公告)号：CN118748112A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410921512.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。钕铁硼磁体包括非易退磁区、过渡区和易退磁区。钕铁硼磁体的制备方法包括下述步骤：在钕铁硼基材上，分别在垂直于Z轴方向的上表面和/或下表面施加扩散源，进行平行于取向方向的晶界扩散；其中，在上表面和下表面全部区域上施加扩散源Dy，在沿Z轴方向的外缘环形区域施加扩散源Tb，形成易退磁区、过渡区和非易退磁区。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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公开(公告)号：CN118486517A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410716346.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体中，第一易退磁区、第二易退磁区、第三易退磁区和第四易退磁区中的重稀土的含量相同；第一过渡区、第二过渡区、第三过渡区和第四过渡区中的Tb的含量相同；第一易退磁区、过渡区和非易退磁区的Dy的含量相同且不为0；所述非易退磁区与所述第一易退磁区的Tb含量比为(0‑0.9)：1；所述第一过渡区与所述第一易退磁区的Tb的含量比为(0.5‑0.96):1。本发明的钕铁硼磁体能够在保证剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，抗退磁性能良好。
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