公开(公告)号：CN119811881A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411996975.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司

Inventor： 谢菊华 ,  廖宗博 ,  蓝琴 ,  黄佳莹 ,  王若澍 ,  郑汉杰 ,  高智

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体扩散源、R‑T‑B磁体材料及其制备方法、应用。该R‑T‑B磁体扩散源组成包括R1xR2yMz，R1为轻稀土元素，R1包括Nd、Pr和Ce中的一种或多种；R2为重稀土元素，R2包括Dy和/或Tb；M为非稀土金属元素，M包括Al、Cu、Ga和Co中的一种或多种；x、y、z为对应元素的质量百分比，x＝20‑80wt.％，y＝10‑85wt.％，z＝1‑30wt.％；所述R‑T‑B磁体扩散源为合金。本发明中开发了新型扩散源，经晶界扩散处理后可使磁体材料的矫顽力得到较大幅度提升，且可降低重稀土用量、提高重稀土利用率。

公开(公告)号：CN119811882A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411997403.8

申请日：2024-12-31

Applicant: 福建省金龙稀土股份有限公司

Inventor： 谢菊华 ,  蓝琴 ,  廖宗博 ,  黄佳莹 ,  王若澍 ,  高智 ,  郑汉杰

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体扩散源、R‑T‑B磁体材料及其制备方法、应用。该R‑T‑B扩散源包括合金RaMb，R为稀土元素；M为非稀土金属元素，M包括Al、Cu、Ga、Zr、Ti和Co中的至少两种；a和b为对应元素的质量百分比，a＝40‑90wt％，b＝10‑60wt％。本发明中的扩散源采用非稀土金属元素代替部分稀土元素，可有效提高稀土元素的利用率。采用该扩散源制得的R‑T‑B磁体材料能够更显著的提高钕铁硼磁体材料的矫顽力，同时维持较高的剩磁。