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公开(公告)号：CN1126488A
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：CN94192640.0
申请日：1994-05-17
CPC classification number: C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D11/0011 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H05K3/26 , H05K2203/0783
Abstract: 本发明的清洗剂含有在清洗至少部分地具有间隙部分的清洗对象物时与构成污物的至少一种成分的溶解度之差在3以下，或者与构成污物的至少一种成分的溶解度参数之差在3以下且接触角在15°以内的清洗成分。这种清洗剂由于对金属薄带等的间隙中存在的工作油等也能容易地渗透溶解，因而可以进行良好的清洗。而且，本发明的清洗方法是先用极性清洗剂清洗后再用极性更低的或非极性的清洗剂漂洗、进行干燥，因而当用于电子部件等的精密清洗时可以兼备洁净性和干燥性。此外，终究由于不使用会像氟利昂类溶剂或氯代溶剂那样引起环境破坏或环境污染的清洗剂，因而实现了对环境的安全性。
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公开(公告)号：CN1082876C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN97191155.X
申请日：1997-07-07
Applicant: 东芝硅株式会社 , 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: B29C45/14827 , B29C33/12 , B29C43/183 , B29K2083/005
Abstract: 一种生产在其上有强力粘合的传印的图案的硅橡胶模制品的方法。被用于本方法的传印材料或覆盖薄膜，在要与模具中的未固化硅橡胶组合物接触的层中含有，作为粘合促进组分的，含有至少两个键合到硅原子上的氢原子的聚有机氢硅氧烷或含有不饱和键的烷氧基硅烷，例如乙烯基三乙氧基硅烷。
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公开(公告)号：CN1065564C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN94192640.0
申请日：1994-05-17
Applicant: 东芝硅株式会社
CPC classification number: C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D11/0011 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H05K3/26 , H05K2203/0783
Abstract: 本发明的清洗剂含有在清洗至少部分地具有间隙部分的清洗对象物时与构成污物的至少一种成分的溶解度之差在3以下，或者与构成污物的至少一种成分的溶解度参数之差在3以下且接触角在15°以内的清洗成分。这种清洗剂由于对金属薄带等的间隙中存在的工作油等也能容易地渗透溶解，因而可以进行良好的清洗。而且，本发明的清洗方法是先用极性清洗剂清洗后再用极性更低的或非极性的清洗剂漂洗、进行干燥，因而当用于电子部件等的精密清洗时可以兼备洁净性和干燥性。此外，终究由于不使用会像氟利昂类溶剂或氯代溶剂那样引起环境破坏或环境污染的清洗剂，因而实现了对环境的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1170374A
公开(公告)日：1998-01-14
申请号：CN95196867.X
申请日：1995-10-19
IPC: B08B3/08
CPC classification number: H01L21/67005 , B08B3/08 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5095 , C11D11/0047 , C23G5/02803 , C23G5/032 , C23G5/04 , H05K3/26
Abstract: 本发明涉及一种可以取代氟里昂系溶剂或含氯系溶剂等的洗涤剂、洗涤方法和洗涤装置。特别是涉及一种在洗涤印刷线路板或实装部件等电子部件或金属部件等时,能够获得与使用氟里昂系溶剂或含氯系溶剂的洗涤方法相匹敌的对各种污染物的除去性和干燥性的洗涤方法、洗涤剂和洗涤装置。作为洗涤剂的有溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂或者由溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂与溶解度参数不足9和介电常数不足4的洗涤剂形成的混合洗涤剂、以含有低分子硅氧烷化合物的共沸组合物或拟共沸组合物作为有效成分的洗涤剂。另外,作为洗涤方法的特征是,它具备下列工序,即:使用溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂来洗涤洗涤对象物的工序;使用溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂与溶解度参数不足9和介电常数不足4的洗涤剂的混合洗涤剂来对上述洗涤对象物进行漂洗工序和干燥工序中的至少一个工序。
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公开(公告)号：CN1173785C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN95196867.X
申请日：1995-10-19
Applicant: 东芝硅株式会社
IPC: B08B3/08
CPC classification number: H01L21/67005 , B08B3/08 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5095 , C11D11/0047 , C23G5/02803 , C23G5/032 , C23G5/04 , H05K3/26
Abstract: 本发明涉及一种可以取代氟里昂系溶剂或含氯系溶剂等的洗涤剂、洗涤方法。特别是涉及一种在洗涤印刷线路板或实装部件等电子部件或金属部件等时，能够获得与使用氟里昂系溶剂或含氯系溶剂的洗涤方法相匹敌的对各种污染物的除去性和干燥性的洗涤方法、洗涤剂作为洗涤剂的有溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂或者由溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂与溶解度参数不足9和介电常数不足4的洗涤剂形成的混合洗涤剂、以含有低分子硅氧烷化合物的共沸组合物或拟共沸组合物作为有效成分的洗涤剂。另外，作为洗涤方法的特征是，它具备下列工序，即：使用溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂来洗涤洗涤对象物的工序；使用溶解度参数在9以上或介电常数在4以上的极性洗涤剂与溶解度参数不足9和介电常数不足4的洗涤剂的混合洗涤剂来对上述洗涤对象物进行漂洗工序和干燥工序中的至少一个工序。
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公开(公告)号：CN1065562C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN94104356.8
申请日：1990-10-25
Applicant: 东芝硅株式会社
CPC classification number: C11D3/3734 , B01D12/00 , C11D1/02 , C11D1/29 , C11D1/347 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D1/88 , C11D3/162 , C11D3/373 , C11D3/3738 , C11D3/3742 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0023 , C11D11/0029 , C11D11/0041 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C23G1/24 , C23G1/36 , C23G5/032
Abstract: 本发明涉及非水系洗净组合物在洗净工业用部件的对象物中作为洗净剂或作为脱水洗净剂的应用，它含有选自直链聚二有机硅氧烷和环状聚二有机硅氧烷中至少一种低分子量聚有机硅氧烷，还可配合表面活性剂和/或亲水性溶剂；用它可洗净金属、玻璃和陶瓷类的部件，以及表面处理、半导体、电子、精密机械、光学等有关部件。本发明洗净剂的洗净能力可与氟类传统洗净剂比美，而且不会破坏或污染环境，稳定性好。
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公开(公告)号：CN1042353C
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：CN94104357.6
申请日：1990-10-25
Applicant: 东芝硅株式会社
CPC classification number: C11D3/3734 , B01D12/00 , C11D1/02 , C11D1/29 , C11D1/347 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D1/88 , C11D3/162 , C11D3/373 , C11D3/3738 , C11D3/3742 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0023 , C11D11/0029 , C11D11/0041 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C23G1/24 , C23G1/36 , C23G5/032
Abstract: 本发明洗净方法所用洗净剂可代替氟系洗净剂，不会污染或破坏环境，具安全和稳定性。洗净对象为金属、玻璃、陶瓷、电子、半导体、光学以及表面处理等部件。所用洗净剂包括选自直链聚二有机硅氧烷和环状聚二有机硅氧烷中至少一种的低分子量聚有机硅氧烷、含聚氧亚烷基的聚有机硅氧烷、表面活性剂、水，或亲水性溶剂。在洗净工序和漂洗工序中可同时对其废液进行回收、再生。在精细洗净工序中进行最终洗净、将残留表面的洗净液置换并使其干燥。
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公开(公告)号：CN1199362A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN97191155.X
申请日：1997-07-07
Applicant: 东芝硅株式会社 , 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: B29C45/14827 , B29C33/12 , B29C43/183 , B29K2083/005
Abstract: 一种生产在其上有强力粘合的传印的图案的硅橡胶模制品的方法。被用于本方法的传印材料或覆盖薄膜,在要与模具中的未固化硅橡胶组合物接触的层中含有,作为粘合促进组分的,含有至少两个键合到硅原子上的氢原子的聚有机氢硅氧烷或含有不饱和键的烷氧基硅烷,例如乙烯基三乙氧基硅烷。
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