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公开(公告)号:CN1065562C
公开(公告)日:2001-05-09
申请号:CN94104356.8
申请日:1990-10-25
Applicant: 东芝硅株式会社
CPC classification number: C11D3/3734 , B01D12/00 , C11D1/02 , C11D1/29 , C11D1/347 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D1/88 , C11D3/162 , C11D3/373 , C11D3/3738 , C11D3/3742 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0023 , C11D11/0029 , C11D11/0041 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C23G1/24 , C23G1/36 , C23G5/032
Abstract: 本发明涉及非水系洗净组合物在洗净工业用部件的对象物中作为洗净剂或作为脱水洗净剂的应用,它含有选自直链聚二有机硅氧烷和环状聚二有机硅氧烷中至少一种低分子量聚有机硅氧烷,还可配合表面活性剂和/或亲水性溶剂;用它可洗净金属、玻璃和陶瓷类的部件,以及表面处理、半导体、电子、精密机械、光学等有关部件。本发明洗净剂的洗净能力可与氟类传统洗净剂比美,而且不会破坏或污染环境,稳定性好。
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公开(公告)号:CN1042353C
公开(公告)日:1999-03-03
申请号:CN94104357.6
申请日:1990-10-25
Applicant: 东芝硅株式会社
CPC classification number: C11D3/3734 , B01D12/00 , C11D1/02 , C11D1/29 , C11D1/347 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D1/88 , C11D3/162 , C11D3/373 , C11D3/3738 , C11D3/3742 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0023 , C11D11/0029 , C11D11/0041 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C23G1/24 , C23G1/36 , C23G5/032
Abstract: 本发明洗净方法所用洗净剂可代替氟系洗净剂,不会污染或破坏环境,具安全和稳定性。洗净对象为金属、玻璃、陶瓷、电子、半导体、光学以及表面处理等部件。所用洗净剂包括选自直链聚二有机硅氧烷和环状聚二有机硅氧烷中至少一种的低分子量聚有机硅氧烷、含聚氧亚烷基的聚有机硅氧烷、表面活性剂、水,或亲水性溶剂。在洗净工序和漂洗工序中可同时对其废液进行回收、再生。在精细洗净工序中进行最终洗净、将残留表面的洗净液置换并使其干燥。
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