公开(公告)号：CN1224773A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98116646.6

申请日：1998-07-29

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三菱综合材料多晶硅股份有限公司

Inventor： 远山美晴 ,  黑田明寿 ,  木山德二

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/45561 ,  B01F3/026 ,  B01F2013/1091 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06

Abstract: 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该温合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该混合气的流量,然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化,根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量,这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。

公开(公告)号：CN1136603A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN96102527.1

申请日：1996-02-26

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三菱材料株式会社

Inventor： 松原顺一 ,  三宅雄治 ,  金刚寺博

IPC: C30B15/20

CPC classification number: B24B37/013 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧直胴部的特性与顶部侧直胴部及中部侧直胴部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在直胴部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏差。这种效果是通过控制底部22的直径D2使得直胴部侧底部2a的外表面相对于直胴部1的外表面连续具有10-25度的倾斜角θ而获得。

公开(公告)号：CN1119831C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN99121769.1

申请日：1999-08-27

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三菱材料株式会社

Inventor： 高石和成 ,  高田凉子

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤：将半导体衬底浸入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中；将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中；将在氧化溶液中浸泡过的衬底浸入氢氟酸与有机酸或与该有机酸盐的混合溶液中；将在该混合溶液中浸泡过的半导体衬底漂洗之后，再氧化漂洗过的半导体衬底。

公开(公告)号：CN1113977C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN98116646.6

申请日：1998-07-29

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三菱综合材料多晶硅股份有限公司

Inventor： 远山美晴 ,  黑田明寿 ,  木山德二

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/45561 ,  B01F3/026 ,  B01F2013/1091 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06

Abstract: 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。

公开(公告)号：CN1320173A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

Applicant: 三菱硅材料株式会社

Inventor： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体,且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭,或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此,不管单晶体(11)的尺寸有多大,都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1344020A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01112096.7

申请日：2001-03-30

Applicant: 三菱硅材料株式会社

Inventor： 长谷川健 ,  伊藤辉三 ,  白木弘幸

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  G01N21/63

Abstract: 在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光,在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时,通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光频率时,控制器从光致发光平均强度的变化得到光致发光的衰减时间常数T,通过“τ=T/C”计算出半导体基片的寿命τ,其中C是一个常数。通过定量地得到长寿命半导体基片的寿命准确地评价半导体基片中的杂质和缺陷等。

公开(公告)号：CN1250224A

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN99121769.1

申请日：1999-08-27

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三菱材料株式会社

Inventor： 高石和成 ,  高田凉子

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤:将半导体衬底侵入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中;将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中;将在氧化溶液中浸泡过的衬底浸入氢氟酸与有机酸或与该有机酸盐的混合溶液中;将在该混合溶液中浸泡过的半导体衬底漂洗之后,再氧化漂洗过的半导体衬底。

公开(公告)号：CN1321333A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN00801885.5

申请日：2000-08-29

Applicant: 三菱硅材料株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  株式会社真空技研

Inventor： 中井哲弥 ,  河原史朋 ,  斋藤诚 ,  川村恭彦 ,  篠原真 ,  荒井克夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/205

Abstract: 在保持架本体(23)的上面载置晶片(22),保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14),水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状,在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体,当晶片直径为D时,凸起的外径形成在0.5D－0.98D的范围内,晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲,从而可抑制在晶片产生滑移。另外,可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外,还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。