线栅型偏振元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN114008495B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202080043060.5

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 本发明的线栅型偏振元件中,在以相同的朝向和相同的周期在透明的片(A)的表面上设置成一维格子状的多个槽部(C)中埋入有金属反射体(B),金属反射体(B)的平均宽度(a)为200nm以下,从片(A)表面侧至背面方向前端的金属反射体(B)的平均厚度(b)与上述平均宽度(a)之比(b/a)为4以上25以下,并且,在与片(A)表面垂直的任一截面中,金属反射体(B)的厚度方向前端部附近的形状越向前端越以直线状或平滑的曲线状逐渐变细,该越向前端越逐渐变细的部分(D)向前端方向的平均长度(c)与上述平均宽度(a)之比(c/a)为1.2以上。

    线栅型偏振元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN114008495A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202080043060.5

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 本发明的线栅型偏振元件中,在以相同的朝向和相同的周期在透明的片(A)的表面上设置成一维格子状的多个槽部(C)中埋入有金属反射体(B),金属反射体(B)的平均宽度(a)为200nm以下,从片(A)表面侧至背面方向前端的金属反射体(B)的平均厚度(b)与上述平均宽度(a)之比(b/a)为4以上25以下,并且,在与片(A)表面垂直的任一截面中,金属反射体(B)的厚度方向前端部附近的形状越向前端越以直线状或平滑的曲线状逐渐变细,该越向前端越逐渐变细的部分(D)向前端方向的平均长度(c)与上述平均宽度(a)之比(c/a)为1.2以上。

    防反射结构体及其制造方法

    公开(公告)号:CN114641709B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202080077166.7

    申请日:2020-12-16

    Abstract: 本发明的防反射结构体在透明的基材(B)的表面部(S)和从各孔(Hn)的底部起的上部方向的空间部(Cn)配置有金属氧化物膜,该透明的基材(B)形成有多个与平坦的表面垂直的方向的截面形状为U字状或V字状的孔(Hn),关于该各孔(Hn)的形状,开口部的平均直径(m)为50~300nm,与相邻的该开口部之间的各中心点的平均间隔(k)为100~400nm,并且,以表面部(S)为基准的各孔(Hn)的深度(dn)为80~250nm的范围,在该防反射结构体中,配置于各空间部(Cn)的金属氧化物膜的厚度(tn)随着各孔(Hn)的深度(dn)变深而增加,由此,从配置于上述表面部(S)的金属氧化物膜的最表面部(Sm)至配置于各空间部(Cn)内的金属氧化物膜的表面部的各孔(Hn)间的深度(fn)之差减少。

    防反射结构体及其制造方法

    公开(公告)号:CN114641709A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202080077166.7

    申请日:2020-12-16

    Abstract: 本发明的防反射结构体在透明的基材(B)的表面部(S)和从各孔(Hn)的底部起的上部方向的空间部(Cn)配置有金属氧化物膜,该透明的基材(B)形成有多个与平坦的表面垂直的方向的截面形状为U字状或V字状的孔(Hn),关于该各孔(Hn)的形状,开口部的平均直径(m)为50~300nm,与相邻的该开口部之间的各中心点的平均间隔(k)为100~400nm,并且,以表面部(S)为基准的各孔(Hn)的深度(dn)为80~250nm的范围,在该防反射结构体中,配置于各空间部(Cn)的金属氧化物膜的厚度(tn)随着各孔(Hn)的深度(dn)变深而增加,由此,从配置于上述表面部(S)的金属氧化物膜的最表面部(Sm)至配置于各空间部(Cn)内的金属氧化物膜的表面部的各孔(Hn)间的深度(fn)之差减少。

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