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公开(公告)号：CN113488525A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110745217.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
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公开(公告)号：CN112859611A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110069427.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种自适应预失真系统及方法，包括第一预失真模块、第二预失真模块、功放模块、衰减模块和自适应模块；第一预失真模块用于对输入信号进行预失真处理，得到预失真输出信号；功放模块用于对预失真输出信号进行功率放大处理，得到功放输出信号；衰减模块用于对功放输出信号进行衰减处理，第二预失真模块用于对衰减处理后的功放输出信号进行预失真处理，得到预失真输出信号；自适应模块用于对预失真输出信号进行自适应处理，得到自适应信号；根据预失真输出信号和自适应信号的差值信号，对自适应模块进行调整。本发明具有稳定性高，收敛快，可离线学习，实现难度低的特性。
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公开(公告)号：CN112653479A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011486707.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明涉及一种支持单频网功能的DMB基带SoC，属于芯片系统设计领域。该Soc包括GPS模块、LCD屏幕、LCD驱动电路、以太网控制器、单频网适配器、RISC‑V处理器、COFDM编码器、RAM、Flash、SPI接口和成型滤波器。本发明有助于提高发射机的集成度，缩小发射机的体积，降低发射机的功耗，同时DMB基带SoC中单频网适配器电路模块优化了电路结构，使用自适应校准方法，使得电路在降低电路规模的同时，提高频率校准精度。
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公开(公告)号：CN112653478A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011438694.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明公开了用于数字广播发射机的小型化上变频及射频前端电路，包括：恒温晶振器、锁相环、环路滤波器、低通滤波器、射频信号输出单元、AD9957正交调制电路和FPGA电路；所述恒温晶振器控制锁相环，所述锁相环同时控制和响应于环路滤波器，所述低通滤波器控制AD9957正交调制电路，所述低通滤波器响应于锁相环，所述AD9957正交调制电路同时控制和响应于FPGA电路；设计的发射链路提高了射频端输出频谱带外抑制、邻道抑制比和谐波抑制等性能，在满足小型化的技术要求下，能够达到较高的频谱输出特性。
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公开(公告)号：CN112636767A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011411615.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M13/11
Abstract: 本发明涉及一种具有单置换网络的分层半并行LDPC译码器系统，属于译码器硬件设计领域。该系统包括单置换网络的分层译码架构、单置换网络的分层半并行译码架构、分层半并行译码的流水线设计、分层半并行LDPC译码器的硬件构架。本发明通过更改从变量节点传递到校验节点的每个信息块的循环移位值，去掉了校验节点和变量节点之间的置换网络模块，即通过单置换网络就可以完成译码器的循环移位操作，从而减小了译码器的硬件资源。采用半并行的译码结构，同时在半层之间加入流水线。与分层全并行结构的译码器相比，半并行结构的译码器的变量节点并行度仅为码长的一半，但可以实现其3/4的吞吐量，同时将硬件资源减少了一半。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111541042A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010511826.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于复合左右手传输线的电小天线，包括交指结构、辐射贴片、馈线、折弯结构和非对称共面地；其中，信号由SMA接头馈线输入，传输到辐射贴片中，通过弯折结构和交指结构从SMA接头非对称共面地输出。本发明采用非对称共面波导馈电结构，由于只有一边地，比传统的共面波导节省了一般的面积，大大减少了天线尺寸。
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公开(公告)号：CN111326576A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010092899.X
申请日：2020-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种具有纵向分离阳极结构的SALIGBT器件，属于半导体功率器件领域。本发明将传统SA-LIGBT的N+阳极和P+阳极分离，将N+阳极设置在器件内部，通过增加N+阳极的纵向深度，延长单极性导电模式下电子的流动路径；N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻，通过调节N+阳极的纵向深度和P型浮空层的掺杂浓度，完全消除snapback效应。本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积；正向导通时，新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V，相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2％和24％；关断时，N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子，其关断时间为370ns，相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82％和23％。
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公开(公告)号：CN111045517A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911249614.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F3/01 , A61B5/0484
Abstract: 本发明公开了一种SSVEP视觉刺激器的设计方法，所述方法可用于设计脑-机接口视觉刺激器，具有闪烁频率稳定，准确性高，同步性好的优点。所述视觉刺激器控制视觉刺激图形呈一定频率明暗变化，变化规律按正弦波的形式。通过调节刺激图形每一帧的灰度值，可以实现刺激闪烁，所述视觉刺激频率的可实现的频率范围大。所述视觉刺激频率产生模块可以通过对正弦信号进行采样的方式，计算得到不同频率下，每帧所对应的幅值和灰度值。将不同频率和所对应灰度值通过VGA接口在计算机显示器上显示来实现视觉刺激；所述视觉刺激器可通过图形用户界面对视觉刺激范式进行信息传输，和参数的设置及修改。
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公开(公告)号：CN110995395A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911228528.3
申请日：2019-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于DMB文件传输的信道编码方法，属于数字多媒体广播领域。该方法包括：编码过程：首先将待传输数据进行改进的TPEG编码；然后将经过改进的TPEG编码后的数据依次经过RS编码、数据交织和LDPC编码；再经过OFDM调制后发送至信道传输；译码过程：将从信道接收的编码后的数据依次经过OFDM解调、LDPC译码、解交织、RS译码和TPEG译码，最后得到接收数据的译码结果，从而计算出误码率。本发明能够支持大文件的传输，根据传输的文件类型和信号强度选择不同的编码方式，并且能够支持对终端的简单管理。并且使用RS和LDPC级联作为其纠错码，提高纠错性能增加编码增益。
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公开(公告)号：CN110571264A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910877635.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种具有多通道电流栓的SA-LIGBT器件，属于功率半导体器件领域。本发明的多通道电流栓的SA-LIGBT器件主要是在器件的集电极区域设置n个横向P柱，形成多个电子通道，构成电流栓结构，具有以下作用：(1)正向导通时，电流栓相对于对电子电流呈关闭状态，使得晶体管的集电极短路电阻增大，从而完全消除传统SA-LIGBT的snapback效应；(2)正向导通时降低压降Von；(3)关断时，P柱之间形成的三条电子通道可有效提高电子的抽取效率，减少关断时间。
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