公开(公告)号：CN1767162A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200410098100.9

申请日：2004-11-30

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/03

Abstract: 拾取与置放标准晶粒于一新的基底之上以得到一比传统的晶圆上的晶粒之间的距离更适当与更宽广的距离。一种晶片尺寸封装的形成方法，包括：分割一晶圆上的晶粒，然后，挑选与置放上述晶粒于一基底之上并且填入一第一材料层于上述基底上的晶粒之间。一具有第一开口的介电层是图案化以暴露上述晶粒的一导线的一部分。一导电材料填入于上述第一开口与介电层之上。之后，一第二材料层图案化以形成暴露上述导电材料的第二开口。接着，锻烧焊接球于上述第二开口之上。

公开(公告)号：CN1230897C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02100981.3

申请日：2002-01-10

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  杨文彬

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装结构及其制造方法，尤其是一种晶片型态扩散型封装结构及其制造方法，包含切割芯片后，经过筛选，将芯片粘着于玻璃底座上，再将粘于芯片上的金属垫的I/O接头植球的位置，以扩散型方式，将接触点往外扩散到芯片的边缘甚至芯片的外围，此种接触点往外扩散，由于有较大的范围来植入I/O植球，可以增加I/O植球的数目，增加更多I/O接触点，减少由于接触点距过于接近所造成的讯号干扰及焊锡接头过于接近时造成的焊锡桥接问题。适用于8寸与12寸晶片的封装过程，可以包含到芯片与电容以及多芯片或多种被动元件。

公开(公告)号：CN1694247A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200410046429.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露一种晶圆型态封装的结构，该结构包含一图案化的第一绝缘层，上述第一绝缘层与一集成电路组件的保护层结合；一导电层，上述导电层与上述第一绝缘层、集成电路组件的保护层与金属垫结合而产生弯曲的导电层图案；以及，一图案化的第二绝缘层，该第二绝缘层与该导电层结合，该第二绝缘层具有复数个开口，每一该开口上具有一接触金属球以利于与一印刷电路板电性连接。

公开(公告)号：CN1210777C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02100982.1

申请日：2002-01-10

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  杨文彬 ,  王志荣 ,  林明辉 ,  孙文彬 ,  吴皓然 ,  江国宁 ,  李昌骏 ,  廖启铭 ,  袁长安

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种晶圆级测试卡的探针构造及其制造方法，探针构造至少第一绝缘膜层涂布于基板之上，在第一绝缘膜层形成凹穴结构，且向内凹入，缓冲物填充于凹穴内，以吸收测量时接触待测物所造成的应力。第二绝缘膜层涂布于第一绝缘膜层及缓冲物之上，用以保护缓冲物，穿孔形成于第二绝缘膜层与第一绝缘膜层之中。电路图案形成于第二绝缘膜之上及填充于穿孔之中，第三绝缘膜层涂布于第二绝缘膜层及电路图案之上，用以防止电路图案氧化。垂直探针形成于电路图案上，并对应于缓冲物的区域。强化材质包覆垂直探针。以加强其硬度及增强其抗形变力。