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公开(公告)号：CN118084474A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311423078.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种LTCC变压器用低孔隙率低功率损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料由主料、BZB玻璃助烧剂、离子取代剂构成，其中助烧剂的重量百分比为0.25wt.％，离子取代剂重量百分比为0.00％‑0.30％，所述主料为Ni0.35Zn0.4Cu0.25Fe1.98O4，所述助烧剂为BZB玻璃助烧剂，离子取代剂为CO2O3。本发明实现了NiCuZn铁氧体在低温(920℃)下的烧结和制备，并得到低孔隙率低损耗的铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN117964360A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410068516.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，通过引入Mn元素，使材料发生姜泰勒效应，晶体结构发生畸变，阻碍离子迁移，增强了陶瓷的结构稳定性；最终，本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能，获得了介电常数为20.689，Q×f＝50807.9，谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN117811524A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410002762.9
申请日：2024-01-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁声非线性相互作用的自旋波频率梳，属于自旋波器件技术领域。包括压电衬底，形成于压电衬底之上的自旋波波导，形成于压电衬底之上、自旋波波导横向两侧的导电电极，形成于自旋波波导之上、自旋波传输方向前后两端的微波天线。本发明在自旋波波导一端的微波天线输入微波信号激发自旋波，通过在两侧的导电电极之间施加交流电压，自旋波波导受到压电衬底上产生的声波的影响，在时变应变的作用下，自旋波波导另一端的微波天线中检测到鲁棒性的自旋波频率梳信号。该自旋波频率梳在工作时无需外部偏置场、电流等手段进行调控；并且可通过调节施加的交流电压来调节时变应变的幅值和频率进而精确调控频率梳的幅值和间距。
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公开(公告)号：CN117383927A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311456132.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法，应用于无线通信技术微波介质基板、集成基板、微波天线和微波滤波器等领域。本发明通过LiF与Li2Mg2TiO5形成Li3Mg2TiO5F固溶体陶瓷材料，有效抑制锂挥发以及四价钛离子的还原，并将烧结温度降至银电极熔点以下，实现700℃～950℃的低温烧结，从而满足LTCC的应用；同时，本发明提供的微波介质陶瓷材料还具有优异的微波介电性能：相对介电常数εr为13.0～15.0，品质因数Q×f为110000GHz～160000GHz，谐振频率温度系数τf为‑15～‑40ppm/℃，为微波电子元器件向高频化、轻量化、便携化发展提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN117038240A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311131862.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，涉及热敏电阻器中的新型热敏电阻材料，具体提供一种基于高熵概念的热敏电阻材料及其制备方法，用以提高热敏陶瓷材料的结构稳定性。本发明将“高熵合金”的成分设计思想应用于热敏电阻材料中，得到热敏电阻材料：(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mg0.2Zn0.2)3O4，其中，基于Mg和Zn原子的特殊电子结构，使得该热敏电阻材料在0℃～100℃温度范围内具有明显的负温度系数特性，并且，该材料的熵值达到了2.08R，材料常数为B25℃/50℃＝4213K～4837K、温度25℃电阻率为4.23×105Ω.cm～5.45×105Ω.cm，非常适合作为热敏电阻器的敏感体。并且，该热敏电阻材料通过过渡金属氧化物热敏陶瓷的制备方法制备得到，制备工艺简单，制备得热敏电阻材料性能稳定、一致性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116858798A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310615440.7
申请日：2023-05-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体浓度检测技术领域，具体为一种微弱光电信号检测电路及气体浓度检测系统。所述微弱光电信号检测电路，是利用ADA4627这一特定型号的运算放大器具有6.1nV/#imgabs0#的低噪声和200μV超低失调电压、1μV/℃超低失调漂移、5pA超低偏置电流等特性，配合依次连接的跨阻放大、二级放大以及窄带通滤波形成的三级放大，能够在对微弱光信号进行处理的同时，有效降低噪声系数、提升信号强度。整个微弱光电信号检测电路适用范围宽，可检测微弱光范围为几百nW到几μW。所述气体检测系统采用该微弱光电信号检测电路后，能够满足二氧化碳气体浓度探测器低噪声、高精度、低功耗、快速响应探测要求。
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公开(公告)号：CN114931965B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210676019.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种π‑π共轭调控的多孔石墨相氮化碳负载非贵金属铋催化剂，及其制备方法以及其在光催化二氧化碳还原领域的应用。其中，氮化碳为载体，氮化碳为二维超薄的石墨相氮化碳，片经为50nm～5μm，具有介孔结构，孔尺寸位于为2nm～60nm之间。所述的负载金属为地球含量丰富的非贵金属铋，含量为基于催化总重量的0～4.5wt％，优选含量为0.7～3.2wt％，具有原子级的分散性。本发明的多孔石墨相氮化碳负载非贵金属铋催化剂的制备方法，核心点在于通过π‑π共轭相互作用在氮化碳前驱体的生长过程中引入具有层状共轭结构的铋基材料，随后经过插层煅烧处理得到目标产物，改进的异质原子的引入方法使得铋的负载变得更加容易且牢固。整体合成过程思路清晰，步骤明确，方法简单易操作，同时，非贵金属铋具有丰富性和廉价性，方便大规模的生产，为未来的商业化应用提供可能。
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公开(公告)号：CN115432731B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211248904.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。
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公开(公告)号：CN116112616A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310048860.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于噪声处理技术领域，尤其涉及一种基于FPGA的数字图像椒盐噪声处理系统。包括了CMOS视频图像接口模块、中值滤波算法模块、DDR读写控制模块以及VGA接口显示模块。本发明对现有技术中常见的软件算法进行硬件化改进移植。由于本发明的数字图像椒盐噪声处理系统可以直接在FPGA硬件系统中实现算法，使得对于椒盐噪声的处理可以摆脱对微机平台图像处理的依赖，同时设计中也预留了应对不同算法需求时的存储电路，利用FPGA的可编程灵活性还能根据不同的应用场景对算法做出相应的改变以适应需求。其电路复杂度低，较易实现，适用于智能安防视频监控、机器人视觉、车载视频目标检测、相机或雷达等运动目标图像检测优化等。
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公开(公告)号：CN115947600A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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