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公开(公告)号：CN104967198B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510420992.8
申请日：2011-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J50/12 , H02J7/025 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/80 , H02J50/90 , H04B5/0037 , H04B5/0093
Abstract: 本发明涉及一种无线供电系统及无线供电方法。目的之一是提供一种对受电一方的供电用户而言是方便性更高的供电系统和供电方法。目的之一是提供一种对进行供电的一方(送电一方)的供电提供者(公司)而言，也是可以没有浪费地供应电力的供电系统和供电方法。以无线的方式对受电体供应电力的供电装置检测被供应电力的受电体的位置及共振频率，并基于该信息控制发送到受电体的电力信号的频率。通过以电力传送效率高的最合适的频率对受电体发送电力信号，可以提供效率高的供电服务。
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公开(公告)号：CN105162260B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510349711.4
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B60L11/182 , B60L5/005 , B60L11/1829 , B60L11/1833 , B60L2200/26 , B60L2200/32 , B60L2200/34 , H01F38/14 , H02J5/005 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/90 , Y02T10/7005 , Y02T10/7011 , Y02T10/7016 , Y02T10/7072 , Y02T10/92 , Y02T90/12 , Y02T90/121 , Y02T90/122 , Y02T90/125 , Y02T90/14
Abstract: 本发明的目的是提供一种受电装置，包括：构成为分别使用从供电装置依次发送的第一电波和第二电波来生成第一电信号及第二电信号的天线电路；构成为使用第一电信号抽出天线电路与供电装置之间的位置关系的信息的信号处理电路；构成为使用第二电信号储存电能的二次电池；构成为生成具有一定频率的信号的振荡电路；以及构成为根据起始信号及所述具有一定频率的信号对天线电路施加电压的调制电路，其中在信号处理电路中生成起始信号。
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公开(公告)号：CN106981489A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710365782.2
申请日：2012-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L23/522 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。
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公开(公告)号：CN106057819A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610557667.0
申请日：2010-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H03K3/037 , H03K19/00 , H03K19/096
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H03K3/0375 , H03K19/0016 , H03K19/096
Abstract: 本发明涉及逻辑电路和半导体装置。在时钟门控技术被执行的逻辑电路中，储用功率被降低或者故障被抑制。该逻辑电路包括晶体管，其中，在没有供给时钟信号的时段，当源极端子和漏极端子之间存在电势差时，该晶体管处于截止状态。该晶体管的沟道形成区是使用氧化物半导体形成，在该氧化物半导体中，氢浓度被降低。具体地，氧化物半导体的氢浓度为5×1019原子/立方厘米或更低。因此，可以减少晶体管的泄漏电流。结果，在该逻辑电路中，可以实现储用功率的减少以及故障的抑制。
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公开(公告)号：CN103078368B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210579581.X
申请日：2007-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J7/0052 , B60L8/003 , B60L11/182 , B60L2230/16 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/90 , Y02T10/7011 , Y02T10/7083 , Y02T10/7088 , Y02T90/122 , Y02T90/128 , Y02T90/14 , Y02T90/163
Abstract: 一种电力供应系统和用于机动车的电力供应系统，为可移动电子装置提供一种电力接收装置，当对电池充电时，电力接收装置简化了从作为电源装置的电力馈线对电池的充电，并且不具有由于与继电器端子相关的外部因素而引起的故障，或由直接连接电池和电力馈线而引起的继电器端子的损坏，此外还提供一种包括电力接收装置的电子装置。在可移动电子装置中提供用于供应电力的天线电路和增强天线。天线电路经由增强天线接收例如电磁波的无线电信号，并且通过信号处理电路向电池提供通过无线电信号的接收所获得的电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102750565B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210097659.4
申请日：2006-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/0723 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是防止在能够进行无线数据通信的半导体器件中由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。在半导体器件中，电平转移电路被提供于数据解调电路和每一个电路块之间，在该电路块中，从数据解调电路输出解调信号。以这种方式，解调信号的电压幅度几乎与自每一电路块的输出信号的电压幅度相等。因此，解调信号的脉冲宽度几乎与每一电路块中的信号的脉冲宽度相等，或者解调信号的脉冲宽度几乎与自每一电路块的输出信号的脉冲宽度相等。因此，可以防止由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。
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公开(公告)号：CN103915657A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310726913.7
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J7/007 , H01G11/06 , H01G11/10 , H01M4/5825 , H01M10/0525 , H01M10/4207 , H01M10/441 , H02J7/0024 , H02J7/0057 , H02J7/0013 , Y02B40/90
Abstract: 本发明的一个方式抑制蓄电装置的劣化。通过设置分别控制多个蓄电装置的连接的开关并由多个控制信号控制开关，来切换是对各蓄电装置充电还是使各蓄电装置放电或者切换是将多个蓄电装置串联连接还是将多个蓄电装置并联连接。再者，通过在蓄电装置中设置能够进行运算的半导体电路来构成蓄电装置的控制系统或蓄电系统。
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公开(公告)号：CN101523419B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200780036911.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K17/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/12 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , H01L21/84
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够使用小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位的半导体器件。在本发明中，通过不使用通常使用的调整电路104的输出VDD，而是使用电位比VDD高的整流电路部分103的输出VDD0作为升压电路的输入电压，能够以小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位。
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公开(公告)号：CN101334548B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810137927.4
申请日：2003-03-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , H01L27/1255 , H01L29/42384
Abstract: 目的是提供具有高可视性的显示器和具有有着凹凸结构的反射电极的透反射型液晶显示装置而不特殊的增加工艺。在制造透反射型液晶显示装置的过程中，多个不规则排列的岛状图形的反射电极和透明导电膜的透明电极分层以形成具有透明和反射电极的电极从而具有凹凸形式以增强光的散射能力并因此增强显示的可视性。另外，因为多个不规则排列的岛状图形可以同时形成带有互连，在制造工艺中可以形成凹凸结构而不特殊的增加只用于形成凹凸结构的图形化工艺。因此有可能大大的减少成本并提高产量。
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公开(公告)号：CN102760488A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132046.X
申请日：2012-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/4193 , G11C16/06 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10805 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L28/40 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。
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