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公开(公告)号：CN109311262A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038483.6
申请日：2017-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造成本低廉且制造容易、兼备金属光泽和电磁波透过性的电磁波透过性金属部件、使用该部件的物品、以及电磁波透过性金属膜的制造方法。电磁波透过性金属部件包含金属层和裂缝层，金属层和裂缝层在各自的各面内具有实质上相互平行的多条直线状裂缝。金属层的直线状裂缝与裂缝层的直线状裂缝在厚度方向上贯通各自的层且在厚度方向上连续。
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公开(公告)号：CN104919542B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480005116.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜，且前述底涂层的至少1层通过干法而形成。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN104937676B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480005117.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN105473756A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201580001616.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01B1/02 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01L31/022466
Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104937678A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005118.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10-4～2.8×10-4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN104919541A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480005113.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10-4～2.0×10-4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN103314127A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180063189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。
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公开(公告)号：CN102408843A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110276257.6
申请日：2011-09-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J133/08 , C09J107/00 , C09J121/00 , C09J153/02 , B24B37/11
CPC classification number: C09J133/10 , C08F2220/1825 , C09J7/201 , C09J7/21 , C09J7/383 , C09J7/385 , C09J7/403 , C09J2201/134 , C09J2205/114 , C09J2400/283 , C09J2407/00 , C09J2421/00 , C09J2423/005 , C09J2423/045 , C09J2423/105 , C09J2433/00 , Y10T428/1452 , Y10T428/1476 , C08F2220/1858 , C08F220/06 , C08F2220/1808
Abstract: 本发明提供一种双面粘合带和研磨构件。一种双面粘合带，具有：基材，丙烯酸类粘合剂层，橡胶类粘合剂层，设置在橡胶类粘合剂层的外侧的第一剥离衬垫，和设置在丙烯酸类粘合剂层的外侧的第二剥离衬垫。第一剥离衬垫分别具有聚合物层和纸基材层。另外，第二剥离衬垫分别具有聚合物层和纸基材层。根据JIS K评价的各聚合物层表面的动摩擦系数小于1.0。
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公开(公告)号：CN101027117A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032709.9
申请日：2005-09-09
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种水通透性能和盐截留率出色、膜中的未反应多官能胺成分极少的复合半透膜及其制造方法，所述复合半透膜在多孔性支撑体的表面形成有含有使多官能胺成分与多官能酸卤化物成分发生界面聚合而成的聚酰胺系树脂的表层，其特征在于，表层形成后，膜清洗处理前的未反应多官能胺成分的含量为200mg/m2以下，且膜清洗处理后的未反应多官能胺成分的含量为20mg/m2以下。
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