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公开(公告)号：CN102517558B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110349873.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明属于微纳器件技术领域，具体为一种多孔金属/介质微米管及其制备方法和应用。本发明微米管制备步骤如下：制备多孔阳极氧化铝模板；沉积具有内应力的金属或介质双层薄膜；选择性地腐蚀多孔阳极氧化铝模板，从而形成管壁具有周期排列纳米孔洞结构的微米管。这种特殊结构的多孔金属/介质微米管具有多种重要应用前景。例如，可以卷曲特定材料得到微米尺度的氧化还原超级电容器；可以作为电化学生物分子传感器，将多孔金属/介质微米管浸入溶液中，通过测量其电化学性能变化探测溶液中特定的生物分子。
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公开(公告)号：CN101882463B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102270263A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110260259.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。
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公开(公告)号：CN101976019A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010541614.2
申请日：2010-11-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米光刻技术领域，具体为一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备。本发明将近场光刻和纳米反压印相结合，其步骤包括：在已制作好光刻掩模图形的石英衬底上旋涂紫外光刻胶，使用平行紫外光从掩模板背面曝光后显影，完成对光刻胶的近场光刻，接着利用纳米反压印的方法将曝光后的光刻胶转移到目标衬底上，即达到利用近场光刻和纳米反压印相结合的方法实现在任意衬底上产生光刻胶图形的目的。本发明方法便捷快速，同时成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101196758B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200710171823.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Sub1V的电流模式的基准电压源的启动电路。该电路由3个PMOS管构成，第一PMOS管为偏置PMOS管，其栅端由VBIAS提供偏置电压，漏端接第二PMOS管和第三PMOS管的源端，第PMOS管的漏端接地，栅端接比较阈值电压；第三PMOS管栅端接基准源的输出，漏端接运算放大器。本发明的启动电路，能避免运放失调电压Vos给芯片带来的无法正常工作的后果，解除零状态。这种启动电路只需3个MOS管，结构简单，容易实现，且能应用到传统的基准电压源。
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公开(公告)号：CN101882463A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101196758A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171823.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Sub1V的电流模式的基准电压源的启动电路。该电路由3个PMOS管构成，第一PMOS管为偏置PMOS管，其栅端由VBIAS提供偏置电压，漏端接第二PMOS管和第三PMOS管的源端，第PMOS管的漏端接地，栅端接比较阈值电压；第三PMOS管栅端接基准源的输出，漏端接运算放大器。本发明的启动电路，能避免运放失调电压Vos给芯片带来的无法正常工作的后果，解除零状态。这种启动电路只需3个MOS管，结构简单，容易实现，且能应用到传统的基准电压源。
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公开(公告)号：CN215985714U
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202121953747.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 复旦大学 , 上海国际人类表型组研究院
IPC: G01N21/17 , G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 本实用新型提供了基于光电响应和生物传感技术的可测量葡萄糖溶液粘度及其浓度的传感器。具体地，本实用新型提供了一种测量葡萄糖溶液粘度及其浓度的传感器，包括：光源模块、反应模块、葡萄糖粘度响应模块、葡萄糖浓度响应模块和响应测量与分析模块，本实用新型的传感器可在同一体系中完成对葡萄糖溶液粘度及其浓度测量，即先测定葡萄糖粘度，再测定葡萄糖浓度，而传统葡萄糖浓度和粘度测量需要在不同体系下单独完成，本实用新型能够缩减测量步骤，在减少所需样品使用量的同时，做到响应速度快、检测结果稳定、可靠、高效。
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公开(公告)号：CN215867874U
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202121175623.4
申请日：2021-05-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型提供了一种基于二维码的大型邮轮船舱定位系统，包括：二维码定位点标签，固定设置在船舱各处，具有含有固定处对应位置信息的二维码；以及移动终端，由使用者持有，其中，移动终端具有：船舱地图数据库，存储有船舱地图，该船舱地图具有大型邮轮每层船舱的详细地图信息、每层船舱中各个重要位置信息包括厕所、求生通道、安全出口、消防栓、楼梯入口和电梯以及二维码定位点标签的对应位置信息；摄像头，用于扫描二维码获取位置信息；以及显示部，用于根据位置信息以及船舱地图显示当前定位。
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