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公开(公告)号：CN113032951A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011424017.1
申请日：2020-12-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法设计优化的宽频透明吸波体及其设计方法。所述宽频透明吸波体包括透明导电膜与介质层，所述透明导电膜包括底部低阻抗导电膜层(1)、中层图形化导电膜层(2)和上层图形化导电膜层(3)，所述底部低阻抗导电膜层(1)与中层图形化导电膜层(2)之间为介质层Ⅰ，所述中层图形化导电膜层(2)与上层图形化导电膜层(3)之间为介质层Ⅱ，所述介质层Ⅰ与介质层Ⅱ均为空气介质；多个所述宽频透明吸波体在二维平面上周期排布呈棋盘状，多个所述宽频透明吸波体在二维平面上沿水平方向与垂直方向均匀排布。本发明解决了吸波体宽带吸收、低剖面的难题，利用遗传算法设计互补谐振图案及结构参数，从而实现超材料吸波体。
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公开(公告)号：CN112642459A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011556000.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/34
Abstract: 本申请提供了一种高级氧化催化剂及其制备方法和应用，属于光催化纳米复合材料技术领域与污染物处理领域。该高级氧化催化剂为层状的C3N4‑Cg/ZnO，层状的C3N4‑Cg/ZnO由层状的C3N4‑Cg和片状ZnO组装而成；其中，C3N4‑Cg由g‑C3N4和g‑C3N4边缘处的石墨烯组成。本申请的高级氧化催化剂ZnO/C3N4‑Cg异质结构由于C3N4‑Cg的边缘石墨烯化了，使其具有更高的可见光光催化性能，在可见光区域内对水中有机污染物具有很好的降解效果。本申请中首先将碳氮源分两步煅烧制备了C3N4‑Cg，采用超声浸渍法将制备C3N4‑Cg与ZnO复合，得到了分散性高的高级氧化催化剂ZnO/C3N4‑Cg。本申请的超声浸渍无需高温煅烧，制备过程简单，且超声分散过程中并未破坏C3N4‑Cg的层状结构，ZnO/C3N4‑Cg的层状结构提高了对太阳光的利用率，增强了ZnO/C3N4‑Cg的光催化效率。
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公开(公告)号：CN112619671A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011573177.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: B01J27/06 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30
Abstract: 本申请提供了一种二元复合纳米催化剂及其制备方法和应用，涉及光催化水处理技术领域。该二元复合纳米催化剂为微球状的CQDs‑BiOBr，微球状的CQDs‑BiOBr的基底是BiOBr微球，CQDs纳米晶紧密负载在BiOBr微球表面，BiOBr微球由纳米板自组装而成BiOBr微球具有氧空位。本申请中在BiOBr中引入了氧空位和CQDs，氧空位和CQDs不仅拓宽了BiOBr催化剂对可见光的吸收范围，而且提高了BiOBr光生电子空穴对分离效率，显著增强了BiOBr光催化降解有机污染物的效率。本申请的CQDs‑BiOBr二元复合纳米光催化剂还具有高化学稳定性，可回收重复利用，很好的体现了本材料的环境友好性。在可见光照射和过硫酸盐存在的条件下，CQDs‑BiOBr对AAP具有很好光催化降解率，解决了传统光催化剂BiOBr光响应范围窄和光生电子空穴对复合效率高等缺点。
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公开(公告)号：CN112281133A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011172175.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法和半球谐振子制造方法，该谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法包括：获取镀膜设备和镀膜工件的三维数据；根据获取的三维数据建立镀膜工件及有效镀膜区域的三维模型，对镀膜工件待镀膜的镀膜面沿径向分布划分网格；利用有限元仿真获得不同工艺参数对应的镀膜工件即半球谐振子在镀膜表面的膜层厚度分布及均匀程度数据；在镀膜过程中，采集镀膜厚度参数，动态分析膜层的厚度分布及均匀程度，依据已获得的膜层厚度及均匀程度结果修正镀膜的工艺参数，使膜层厚度分布均匀程度不断提高。采用本发明能够快速实现半球谐振子所需的均匀镀膜，并提高实际镀膜过程中产品的质量。
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公开(公告)号：CN107400923B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111690905A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010589832.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法，本发明涉及一种瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法。本发明解决现有的聚合物/液晶材料及器件在中红外波段防护效果不理想及稳定性较差的问题。复合薄膜由两侧表层及电致变色夹层组成，所述的两侧表层由外至内依次为衬底、热致变色层及透明导电层，所述的电致变色夹层由两侧的液晶分子取向层和中间的聚合物稳定液晶膜层组成；方法：一、制备热致变色层；二、制备透明导电层；三、制备液晶分子取向层；四、制备液晶均相混合液；五、制备电致变色层。本发明用于多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN109023517B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN108470782B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN107523828B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN110106496A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910537327.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种半球形/共形内外表面异质膜层沉积的原子层沉积系统及其使用方法，涉及一种原子层沉积系统及其使用方法。本发明是要解决现有的原子层沉积系统只能进行平面衬底的膜层制备或非平面衬底所有表面膜层的制备，无法对半球形/共形内外表面进行异质膜层沉积的技术问题。本发明采用了前驱体换向阀、外壁前驱体进气口及内壁前驱体进气口，通过前驱体换向阀的调节，可以使前驱体只进入球形/共形基底内表面或外表面，从而实现在内外表面单独沉积，能够有效解决内外表面无法生长异质膜层的难题。本发明实现了在球形/共形内外表面均匀生长膜层，实现了基体上膜厚的不均匀性小于1％(Al2O3薄膜)。
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