-
公开(公告)号：CN114285313B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111628412.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于脉振磁动势抵消法提升网侧电感的三相集成充电系统，涉及三相集成充电系统网侧滤波电感提升领域。本发明为了解决九绕组电机及其配套的驱动逆变器复用为充电系统在充电模式下，如何提升充电模式下网侧等效滤波电感数值的问题。本发明充电系统包括电池、DC/DC变换器、九桥臂半桥逆变器、电容Cdc、九绕组电机、多个三相开关和双相开关，该系统在充电模式下，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，从而将网侧等效滤波电感进行提升。本发明主要用于对三相集成充电系统网侧滤波电感进行提升。
-
公开(公告)号：CN114268235A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111628383.3
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M7/5387 , H02M3/158 , H02M1/088 , H02J7/06
Abstract: 基于脉振磁动势抵消的三相两级集成九绕组电机充电系统，涉及三相两级集成九绕组电机充电技术领域。本发明是为了解决现有400V电池充电背景下的两级集成充电系统需要配备额外的电力电子器件和直流储能电感的的问题。本发明当电动车工作于充电模式时，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，将驱动拓扑变换为两级充电拓扑。两级充电拓扑中，将部分绕组复用为充电模式下的网侧等效滤波电感，此时前级的AC/DC变换器利用驱动逆变器九个桥臂中的六个桥臂进行组建，并将剩余的绕组和逆变桥组成后级双向DC/DC变换器，包括DC/DC变换器所需的功率模块以及直流储能电感。整个系统无需额外构成后级变换器的任何元器件。
-
公开(公告)号：CN108229010B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
-
公开(公告)号：CN109023517A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
-
公开(公告)号：CN108229010A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105243185B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510573837.X
申请日：2015-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于蒙特卡洛法的张拉整体结构找形方法，属于张拉整体结构静力学分析领域。针对缺乏相对应的程序，计算速度较低且缺乏对于基本概念的定义和特殊情况的处理方法的问题，本发明采取如下方法：步骤一、设定初始条件；步骤二、随机生成初始构型；步骤三、随机生成新构型并判断是否接受；步骤四、校验系统是否平衡；步骤五、得到找形结果。本发明对于张拉整体结构的找形计算中的特殊情况和技术问题进行了解决，从而加快了找形计算的速度；利用MATLAB编程实现了蒙特卡洛法对张拉整体结构的找形计算过程，可以快速准确得到其自平衡构型，效果显著。
-
公开(公告)号：CN104988578A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
-
公开(公告)号：CN104972189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
-
公开(公告)号：CN104947069A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
-
公开(公告)号：CN104878447A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.039 seconds)
