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公开(公告)号：CN113235042B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
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公开(公告)号：CN112795883A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112795883B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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公开(公告)号：CN113235042A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
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公开(公告)号：CN112281133B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011172175.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法和半球谐振子制造方法，该谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法包括：获取镀膜设备和镀膜工件的三维数据；根据获取的三维数据建立镀膜工件及有效镀膜区域的三维模型，对镀膜工件待镀膜的镀膜面沿径向分布划分网格；利用有限元仿真获得不同工艺参数对应的镀膜工件即半球谐振子在镀膜表面的膜层厚度分布及均匀程度数据；在镀膜过程中，采集镀膜厚度参数，动态分析膜层的厚度分布及均匀程度，依据已获得的膜层厚度及均匀程度结果修正镀膜的工艺参数，使膜层厚度分布均匀程度不断提高。采用本发明能够快速实现半球谐振子所需的均匀镀膜，并提高实际镀膜过程中产品的质量。
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公开(公告)号：CN112281133A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011172175.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法和半球谐振子制造方法，该谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法包括：获取镀膜设备和镀膜工件的三维数据；根据获取的三维数据建立镀膜工件及有效镀膜区域的三维模型，对镀膜工件待镀膜的镀膜面沿径向分布划分网格；利用有限元仿真获得不同工艺参数对应的镀膜工件即半球谐振子在镀膜表面的膜层厚度分布及均匀程度数据；在镀膜过程中，采集镀膜厚度参数，动态分析膜层的厚度分布及均匀程度，依据已获得的膜层厚度及均匀程度结果修正镀膜的工艺参数，使膜层厚度分布均匀程度不断提高。采用本发明能够快速实现半球谐振子所需的均匀镀膜，并提高实际镀膜过程中产品的质量。
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公开(公告)号：CN113237842A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110449247.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 一种傅里叶红外光谱仪样品架及使用方法，涉及一种傅里叶红外光谱仪样品架。本发明是为了解决现有技术存在的出入射光线位置点变动，出射光线传播路径改变，最终可能导致测试结果不准确的问题。装置：工装底座上方滑动设置两个支撑柱，两个量角器的直线端分别固定安装在两个支撑柱上，两个测试样品支架底部分别转动连接在两个支撑柱上，两个测试样品分别插装在两个测试样品支架上。方法：步骤一、首先将工装底座平稳安装放置在测试所需的工况或者环境中；步骤二、通过旋转两个测试样品支架来调整测试斜入射角度，角度值可由量角器读出；步骤三、将两个测试样品按照对称要求放置在两个支架上；步骤四、准备完毕后，开始测试。本发明用于光路转换。
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