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公开(公告)号：CN111560602B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109659396A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN108470782A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN110106496B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910537327.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种半球形/共形内外表面异质膜层沉积的原子层沉积系统及其使用方法，涉及一种原子层沉积系统及其使用方法。本发明是要解决现有的原子层沉积系统只能进行平面衬底的膜层制备或非平面衬底所有表面膜层的制备，无法对半球形/共形内外表面进行异质膜层沉积的技术问题。本发明采用了前驱体换向阀、外壁前驱体进气口及内壁前驱体进气口，通过前驱体换向阀的调节，可以使前驱体只进入球形/共形基底内表面或外表面，从而实现在内外表面单独沉积，能够有效解决内外表面无法生长异质膜层的难题。本发明实现了在球形/共形内外表面均匀生长膜层，实现了基体上膜厚的不均匀性小于1％(Al2O3薄膜)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111560602A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108677155B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810503029.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，本发明涉及碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的制备方法。本发明要解决现有物理方法普遍存在着反应温度高、设备操作复杂、反应时间长的缺点，且传统的铜膜一次碘化成膜制备的碘化亚铜薄膜，存在电学性能和光学性能低的问题的问题。方法：一、靶材和衬底的清洗；二、Cu薄膜的制备；三、制备单层CuI薄膜；四、循环制备CuI复合薄膜，即完成室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN108677155A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810503029.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，本发明涉及碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的制备方法。本发明要解决现有物理方法普遍存在着反应温度高、设备操作复杂、反应时间长的缺点，且传统的铜膜一次碘化成膜制备的碘化亚铜薄膜，存在电学性能和光学性能低的问题的问题。方法：一、靶材和衬底的清洗；二、Cu薄膜的制备；三、制备单层CuI薄膜；四、循环制备CuI复合薄膜，即完成室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN111276277A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
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公开(公告)号：CN116682719A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310648681.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B33/02 , C23C14/35 , C23C14/16 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 基于电流变化确定Ir衬底上金刚石偏压增强形核最佳处理时长的方法，本发明的目的是为了解决BEN工艺最佳处理时长受到较多因素影响，形核时长难以确定的问题。最佳处理时长的确定方法：一、制备导电复合衬底；二、在某一工艺体系下进行长时间的偏压增强形核处理，使偏置电流升高至峰值Imax，并检测至偏置电流产生下降，绘制I‑t图，从I‑t图中获取偏置电流达到峰值时对应的BEN处理时长和偏置电流峰值较之初始值的增幅ΔI，该工艺体系下BEN最佳处理时长确定为当偏置电流升高且增幅达到ΔI的处理时长。本发明提供了一种有效保证获得最高晶畴覆盖率和最低非外延小晶粒数量的方法，显著提高异质外延金刚石的形核密度和外延比例。
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