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公开(公告)号：CN116660088A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310615211.5
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC纯度的测定方法，属于材料测定领域，具体涉及一种SiC纯度的测定方法。本发明是为了解决目前SiC纯度测定时检测精度较低、难以测定粒径较小的SiC粉体的问题。本发明步骤包括：一、可溶杂质测定；二、碳杂质测定；三、其他杂质测定；四、纯度计算。本发明具有检测精度高、样品形貌不限等优点，可以检测样品中可能存在的所有杂质。本发明用于检测SiC纯度。
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公开(公告)号：CN114213664B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111583211.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/62 , C08G77/00 , C04B35/14 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法，本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法。本发明要解决现有方法制备的SiBCN陶瓷先驱体抗氧化性能差的问题。在固化过程中将Zr等元素交联在SiBCN基先驱体中，即通过共价键将Si、N、B、C、Zr连接起来，形成含有大量Si、B、N、C、Zr元素的先驱体聚合物。可有效地调整SiBCNZr陶瓷先驱体的结构，保证先驱体中元素分布的均匀性。随后通过固化反应使先驱体脱去小分子形成高聚物，最终经过热解能够较高收率获得共价键连接稳定的SiBCNZr陶瓷材料。本发明用于五组分SiBCNZr陶瓷先驱体。
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公开(公告)号：CN114316278B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111583215.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G79/14 , C04B35/58 , C04B35/565
Abstract: 一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明涉及一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明的目的是为了解决现有制备的单一相先驱体陶瓷抗氧化性不足的问题，本发明通过调节硼烷二甲硫醚、正丙醇锆及苯基三氯硅烷的相对含量，对聚合物先驱体进行分子调控，重点解决在陶瓷烧结后B、Zr、Si、C等元素在陶瓷中的相组成问题，同时确保将B、Zr、Si等元素键合为一种大分子网络结构。由于硼硅酸盐高温下形成的玻璃层具有一定的协同作用，可以更好提升材料抗氧化性，本发明ZrB2‑SiC复相陶瓷均一性好，抗氧化性能优异的特点。本发明适用于陶瓷先驱体制备领域。
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公开(公告)号：CN115057705A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210606669.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/524 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 一种块状碳/硅氧碳复合气凝胶的制备方法，本发明涉及气凝胶材料制备技术领域，具体涉及一种块状碳/硅氧碳复合气凝胶的制备方法。本发明要解决目前制备碳/硅氧碳复合气凝胶存在的制备过程复杂、成本较高和难以规模化生产的技术问题。本发明的制备过程包括：一、配制溶胶；二、凝胶和固化；三、溶剂置换；四、常压干燥；五、高温热处理。本发明采用一步法常压干燥进行制备，具有操作简单、成本低、周期短和安全可靠等优势，有望实现规模化生产。本发明适用于制备块状碳/硅氧碳复合气凝胶材料。
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公开(公告)号：CN114644341A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210276433.4
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法，本发明涉及碳包覆纳米材料合成技术领域，具体涉及一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法。本发明要解决现有制备SiO2@C纳米复合粉体时制备工艺复杂、成本高、污染环境、产物分散性差、碳壳层厚度难以调控的问题。制备步骤：一、配制反应溶液；二、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体；三、制备SiO2@C纳米复合粉体。本发明具有制备工艺简单、成本低、绿色环保、产物分散性好等优点，并且纳米复合粉体表面碳壳层的厚度可以根据使用需求进行调控。本发明可用于大规模生产SiO2@C纳米复合粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114632434A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210277617.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法，本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法。本发明要解决目前较难或无法制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液且制备工艺繁杂的问题。本发明的制备步骤：一、配制糖混合溶液；二、调控溶液的pH值；三、配制纳米SiO2粉体‑糖溶液。本发明可制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液并且具有制备工艺简单的优点。本发明用于制备纳米SiO2粉体‑糖溶液。
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公开(公告)号：CN113880581A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111361538.1
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的制备方法及其应用，本发明涉及有机高分子材料领域，具体涉及一种陶瓷先驱体的制备方法及其应用。本发明要解决现有多元陶瓷先驱体含氧量过高的技术问题。方法：将四氯化铪溶解在四氢呋喃溶剂，制备先驱体溶液；加入甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚反应；升温加热，进行交联反应；固化处理。将所述一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体进行热解制备得到SiHfBC聚合物陶瓷。本发明反应过程，可有效地调整SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的结构，保证先驱体中元素分布的均匀性。通过固化反应脱去小分子形成高聚物，最终经过热解形成共价键连接稳定的SiHfBC聚合物陶瓷。本发明用于制备SiHfBC聚合物陶瓷。
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公开(公告)号：CN108532293B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201810244821.8
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/74 , D06M11/64 , D06M101/40
Abstract: 一种调节糖溶液pH制备碳纤维表面碳涂层的方法，本发明涉及碳纤维改性领域。本发明要解决现有方法制备碳纤维表面涂层成本高与厚度难以调控的问题。方法：一、碳纤维脱胶；二、碳纤维表面酸化处理；三、浸渍溶液的配制；四、碳纤维浸渍糖溶液；五、水热反应制备碳纤维表面碳涂层。本发明采用成本低廉的糖作为碳源制备碳纤维表面碳涂层，该碳涂层具有厚度可控、均匀致密的特点，能够应用于陶瓷复合材料制备、碳碳复合材料及碳纤维增强树脂基复合材料制备等领域。本发明用于制备碳纤维表面碳涂层。
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公开(公告)号：CN106866151B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710138705.3
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645 , C04B35/80
Abstract: 一种浆料注射工艺制备碳纤维增韧硼化锆‑碳化硅复合材料的方法，它涉及一种制备碳纤维增韧ZrB2‑SiC复合材料的方法。本发明的目的是要解决现有碳纤维增韧ZrB2‑SiC复合材料在制备过程中难以获得高致密度且碳纤维易损伤的问题。方法：一、制备均匀分散的ZrB2‑SiC陶瓷浆料；二、碳纤维增韧ZrB2‑SiC生坯；三、低温热压烧结，得到碳纤维增韧ZrB2‑SiC复合材料。本发明制备的碳纤维增韧ZrB2‑SiC复合材料的致密度高于92％，弯曲强度大于220MPa，断裂韧性大于4MPa·m1/2。本发明可获得一种浆料注射工艺制备碳纤维增韧ZrB2‑SiC复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN108558422A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810031554.6
申请日：2018-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B35/56
Abstract: 具有高断裂功的三维碳纤维增韧超高温陶瓷基复合材料的制备方法，本发明属于无机非金属材料领域，它为了解决目前制备方法所获得的三维碳纤维增韧超高温陶瓷基复合材料陶瓷组分含量较低、断裂功较低的问题。制备方法：一、在三维碳纤维编织体表面沉积裂解碳涂层；二、将超高温陶瓷粉体与无水乙醇以及聚丙烯酸混合，得到超高温陶瓷浆料；三、通过注浆装置将陶瓷浆料注入三维碳纤维编织体内部，待注入出现阻力时，再施加超声振动，反复振动辅助注浆过程多次；四、进行振动辅助真空浸渍过程多次；五、模压后进行放电等离子烧结。本发明所制备的三维碳纤维增韧超高温陶瓷基复合材料本征脆性得到了明显的优化，断裂功高达～1200J/m2。
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