公开(公告)号：CN114316278A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111583215.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  赵广东 ,  武世斌 ,  张幸红 ,  王春霖 ,  王武举

IPC: C08G79/14 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565

Abstract: 一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明涉及一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明的目的是为了解决现有制备的单一相先驱体陶瓷抗氧化性不足的问题，本发明通过调节硼烷二甲硫醚、正丙醇锆及苯基三氯硅烷的相对含量，对聚合物先驱体进行分子调控，重点解决在陶瓷烧结后B、Zr、Si、C等元素在陶瓷中的相组成问题，同时确保将B、Zr、Si等元素键合为一种大分子网络结构。由于硼硅酸盐高温下形成的玻璃层具有一定的协同作用，可以更好提升材料抗氧化性，本发明ZrB2‑SiC复相陶瓷均一性好，抗氧化性能优异的特点。本发明适用于陶瓷先驱体制备领域。

公开(公告)号：CN114316278B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202111583215.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  赵广东 ,  武世斌 ,  张幸红 ,  王春霖 ,  王武举

IPC: C08G79/14 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565

Abstract: 一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明涉及一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明的目的是为了解决现有制备的单一相先驱体陶瓷抗氧化性不足的问题，本发明通过调节硼烷二甲硫醚、正丙醇锆及苯基三氯硅烷的相对含量，对聚合物先驱体进行分子调控，重点解决在陶瓷烧结后B、Zr、Si、C等元素在陶瓷中的相组成问题，同时确保将B、Zr、Si等元素键合为一种大分子网络结构。由于硼硅酸盐高温下形成的玻璃层具有一定的协同作用，可以更好提升材料抗氧化性，本发明ZrB2‑SiC复相陶瓷均一性好，抗氧化性能优异的特点。本发明适用于陶瓷先驱体制备领域。