一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法

    公开(公告)号:CN114213664B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202111583211.9

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法,本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法。本发明要解决现有方法制备的SiBCN陶瓷先驱体抗氧化性能差的问题。在固化过程中将Zr等元素交联在SiBCN基先驱体中,即通过共价键将Si、N、B、C、Zr连接起来,形成含有大量Si、B、N、C、Zr元素的先驱体聚合物。可有效地调整SiBCNZr陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。随后通过固化反应使先驱体脱去小分子形成高聚物,最终经过热解能够较高收率获得共价键连接稳定的SiBCNZr陶瓷材料。本发明用于五组分SiBCNZr陶瓷先驱体。

    一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法

    公开(公告)号:CN114213664A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111583211.9

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法,本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法。本发明要解决现有方法制备的SiBCN陶瓷先驱体抗氧化性能差的问题。在固化过程中将Zr等元素交联在SiBCN基先驱体中,即通过共价键将Si、N、B、C、Zr连接起来,形成含有大量Si、B、N、C、Zr元素的先驱体聚合物。可有效地调整SiBCNZr陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。随后通过固化反应使先驱体脱去小分子形成高聚物,最终经过热解能够较高收率获得共价键连接稳定的SiBCNZr陶瓷材料。本发明用于五组分SiBCNZr陶瓷先驱体。

Patent Agency Ranking