公开(公告)号：CN119846782A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510257693.0

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋巍巍 ,  陈建宏 ,  周淳朴 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  徐敏翔

IPC: G02B6/30

Abstract: 本发明的实施例公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬底上的介电层、设置在介电层内的第一水平面中的半导体渐缩结构、以及设置在介电层内的第二水平面中的多尖端介电结构。第一水平面和第二水平面彼此不同。本申请的实施例提供了光学系统及用于制造光学连接器件的方法。

公开(公告)号：CN113949460B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202110265358.7

申请日：2021-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  陈建宏

IPC: H04B10/524 ,  H04B10/54

Abstract: 定向耦合器被配置为接收连续的光波形并将该波形分成两个载波信号。环形调制器被配置为接收载波信号和二进制数据，并基于二进制数据来调制载波信号。组合器被配置为将调制后的载波信号组合成四电平脉冲振幅调制(PAM4)信号。本发明的实施例还涉及用于调制光载波信号的光信号调制器、器件和方法。

公开(公告)号：CN111130530B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201910880492.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  陈昆龙 ,  蔡铭宪

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  G01K7/18

Abstract: 一种具有温度敏感组件的电路包括温度敏感分压器以及探测逻辑。所述温度敏感分压器包括温度敏感电阻器以及第二电阻器，所述第二电阻器具有第一端子，所述第一端子耦合到所述温度敏感电阻器的第一端子。在耦合到所述温度敏感电阻器的所述第一端子的第一节点处产生温度信号。探测逻辑耦合到所述第一节点以响应于所述温度信号而产生探测信号。

公开(公告)号：CN113484948B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202110675284.4

申请日：2021-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  卓联洲 ,  陈焕能 ,  徐敏翔 ,  郭丰维 ,  林志昌 ,  宋巍巍 ,  周淳朴

IPC: G02B6/10

Abstract: 根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN114628531A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110418735.6

申请日：2021-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二金属化层中且在第一界面处接触所述第一导电通孔。加热器位于所述光学装置之上且具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。

公开(公告)号：CN113949460A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110265358.7

申请日：2021-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  陈建宏

IPC: H04B10/524 ,  H04B10/54

Abstract: 定向耦合器被配置为接收连续的光波形并将该波形分成两个载波信号。环形调制器被配置为接收载波信号和二进制数据，并基于二进制数据来调制载波信号。组合器被配置为将调制后的载波信号组合成四电平脉冲振幅调制(PAM4)信号。本发明的实施例还涉及用于调制光载波信号的光信号调制器、器件和方法。

公开(公告)号：CN112542524A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010966687.X

申请日：2020-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  宋巍巍 ,  林志昌 ,  卓联洲 ,  徐敏翔

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明实施例涉及光敏装置与制造光敏装置的方法。本揭露提供一种光敏装置，所述光敏装置包含：衬底，其包含前表面处的硅层；光敏性构件，其延伸到所述硅层中且由所述硅层至少部分地环绕；及超晶格层，其放置于所述光敏性构件与所述硅层之间，其中所述超晶格层包含第一材料及不同于所述第一材料的第二材料，所述超晶格层的接近于所述光敏性构件的一部分处的所述第二材料的第一浓度大于所述超晶格层的远离于所述光敏性构件的一部分处的所述第二材料的第二浓度。

公开(公告)号：CN110098823A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811626833.3

申请日：2018-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  陈昆龙

IPC: H03K5/003 ,  H03K17/56 ,  H02M1/08

Abstract: 本申请的各个实施例涉及具有温度补偿的电平转换器及其操作方法、包括电平转换器的门驱动电路。在一些实施例中，电平转换器包括晶体管、第一电阻器和第二电阻器。第一电阻器从晶体管的第一源极/漏极电连接至电源节点，以及第二电阻器从晶体管的第二源极/漏极电连接至参考节点。此外，第一电阻器和第二电阻器具有大致相同的温度系数并包括III-V族半导体材料。通过具有第一和第二电阻器两者，电平转换器的输出电压由电阻器的电阻比率限定。此外，由于第一和第二电阻器具有相同的温度系数，因此以该电阻比率，由温度引起的电阻变化在很大程度上被消除，并且比起单独的第一和第二电阻器的情况来说，输出电压更不易受温度引起的变化的影响。

公开(公告)号：CN105915208B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510573780.3

申请日：2015-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄琮靖 ,  陈建宏 ,  黃明杰 ,  林志昌 ,  杨天骏

IPC: H03K19/082 ,  H03K5/135

Abstract: 本发明的实施例提供了一种锁存器电路，包括：第一输入节点；第二输出节点；第一输出节点；第二输出节点；第一开关器件，耦接在第一输出节点与第二输出节点之间；以及第一放大电路，与第一输入节点、第二输入节点、第一输出节点和第二输出节点耦接。第一开关器件被配置为：响应于时钟信号的第一状态而闭合，并且响应于时钟信号的第二状态而断开。第一放大电路被配置为：响应于时钟信号的第一状态，基于第一输入节点和第二输入节点的电压电平，在第一开关器件的两端之间产生电压差值。本发明还提供了一种操作锁存器电路的方法。

公开(公告)号：CN108538809A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810558516.6

申请日：2012-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  薛福隆 ,  许国原

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: 一种形成具有电熔丝的集成电路的方法包括在衬底的上方形成至少一个晶体管。形成至少一个晶体管包括在衬底的上方形成栅极电介质结构。功函金属层形成在栅极电介质结构的上方。导电层形成在功函金属层的上方。源极/漏极(S/D)区域被形成为与栅极电介质结构的每个侧壁相邻。至少一个电熔丝形成在衬底的上方。形成至少一个电熔丝包括在衬底的上方形成第一半导体层。第一硅化物层形成在第一半导体层上。