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公开(公告)号：CN109427371A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711122792.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 本发明阐述一种电源开关、存储器装置和提供电源开关电压输出的方法。所述电源开关包括电压产生器、开关电路、及确认电路。所述电压产生器被配置成将第一电源电压与第二电源电压进行比较并输出所述第一电源电压或所述第二电源电压作为主体电压(Vbulk)。所述开关电路包括一个或多个晶体管，且被配置成：(i)以所述主体电压对所述一个或多个晶体管的主体端子施加偏压；以及(ii)输出所述第一电源电压或所述第二电源电压作为电压输出信号。所述确认电路被配置成输出确认信号，所述确认信号指示所述电压输出信号是否已从所述第一电源电压转变成所述第二电源电压。
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公开(公告)号：CN103310831B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310055884.6
申请日：2013-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/22
CPC classification number: G11C7/22 , G11C7/12 , G11C7/222 , G11C8/08 , G11C11/419 , G11C2207/005 , G11C2207/2254
Abstract: 在一种方法中，生成存储器阵列的第一方向上的第一跟踪信号的第一边沿。生成存储器阵列的第二方向上的第二跟踪信号的第一边沿。基于第一跟踪信号的第一边沿和第二跟踪信号的第一边沿中的较慢边沿生成写定时控制信号的第一边沿。写定时控制信号的第一边沿用于生成第二跟踪信号的第二边沿。本发明还提供了存储单元的写入操作中的信号跟踪。
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公开(公告)号：CN102339645B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110022361.2
申请日：2011-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C17/16
CPC classification number: G11C17/16
Abstract: 关于存储阵列的多个实施例，该存储阵列具有多个行和列。每列包括可编程控制器件，该列中的多个电熔丝存储单元，读出放大器，以及与可编程控制器件连接的位线，该列中的多个存储单元，以及读出放大器。每行包括该行中的多个电熔丝存储单元，与该行中的多个电熔丝存储单元连接的字线，以及脚部，该脚部被设置成用于该行中多个电熔丝的电流通路。
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公开(公告)号：CN103681603A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210533653.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/522 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程金属通孔熔丝的机制。金属通孔熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储单元。金属通孔熔丝具有高阻抗并且可以以低编程电压进行编程，这扩展了编程窗口。
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公开(公告)号：CN102347066B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110035473.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/412 , G11C5/147
Abstract: 本发明公开一种集成电路以及集成电路方法，其中该集成电路包括静态随机存取存储器阵列，耦接至第一电压供应节点以及第二电压供应节点。第一以及第二电压供应节点提供保存电压跨接于静态随机存取存储器阵列。电流限制器，配置于静态随机存取存储器阵列以及第一电压供应节点之间，以及电压调整器，并联耦接上述电流限制器于静态随机存取存储器阵列以及第一电压供应节点之间，电压调整器用以维持保存电压高于一既定电平。本发明具有溢漏防护的电路，能提供更可靠的数据保存。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646450A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110283893.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C17/16
Abstract: 本发明公开一种一次性可编程(OTP)存储单元包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管具有：第一漏极、第一源极、第一栅极、以及高于第二晶体管的第二正常工作电压值的第一正常工作电压值。第二晶体管具有第二漏极、第二源极、以及第二栅极。将第一源极连接至第二漏极。将第二源极配置为检测存储在OTP存储单元中的数据。
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公开(公告)号：CN101377689A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710305920.4
申请日：2007-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F3/16
CPC classification number: G05F3/30
Abstract: 本发明涉及一种低供应电压能隙集成电路系统及操作的方法，用来容许能隙电路系统在低供应电压集成电路下运作，并利用能隙电路的基准电压(Vbg)来控制系统电压。实施例包括电荷泵(charge pump)用来将供应电压升至系统电压、以及开回路控制器用来提供启动电荷泵的第一信号并使一个输出能隙基准电压的能隙电路能运作。该系统还包括闭回路控制器，通过比较系统电压与能隙基准电压来调控系统电压。一旦系统电压低于目标电压值，闭回路控制器即传送第二信号来启动电荷泵。此外，系统也包括切换控制器，在感应到作用中的能隙电路后即选择闭回路控制器。本发明提出的系统通过利用能隙电压做为基准，来使闭回路控制器能够调控系统电压。
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公开(公告)号：CN110648697A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910387123.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/412
Abstract: 本发明的实施例提供了选择电路、用于存储器存储系统的防闩锁电路及方法。公开了用于可配置存储器存储系统的各个实施例。可配置存储器存储选择性地从多个操作电压信号中选择操作电压信号以动态地控制各个操作参数。例如，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最大操作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置存储器存储系统选择性地从多个操作电压信号中选择最小操作电压信号以最小化功耗。此外，可配置存储器存储系统选择性地将最大操作电压信号提供给其一些晶体管的块状(B)端子，以防止闩锁这些晶体管。在一些情况下，可配置存储器存储系统可动态地调节最大操作电压信号以补偿最大操作电压信号中的波动。
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公开(公告)号：CN110097899A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811545186.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 只读存储器(ROM)器件包括电连接至位线(BL)或电连接至 的存储器单元，其中， 表示BL的互补位线。ROM器件将BL和 预充电至第一逻辑值。ROM器件激活存储器单元，以在存储器单元连接至BL时，使BL放电，或在存储器单元连接至 时，使 放电。当BL小于 时，ROM器件读取存储在存储器单元内的第一逻辑值。否则，当BL大于 时，ROM器件读取存储在存储器单元内的第二逻辑值。本发明的实施例还提供了存储器件、差分只读存储器(ROM)器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN108122574A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710201096.1
申请日：2017-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 许国原
IPC: G11C11/419 , G11C11/418
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/412 , G11C11/418
Abstract: 一种存储器装置包括：存储单元，用以存储数据位，所述存储单元包括至少一个读取晶体管，所述至少一个读取晶体管用以当所述数据位被读取时形成放电路径或泄露路径；导电线，耦合至所述读取晶体管；以及至少一个第一跟踪晶体管，耦合至所述导电线，且用以提供具有第一电流电平的第一电流信号，所述第一电流电平跟踪第二电流信号的第二电流电平，其中所述第二电流信号是在形成所述放电路径及所述泄露路径中的一者时提供，且其中所述第一电流信号及所述第二电流信号用于确定所述数据位的逻辑状态。
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