公开(公告)号：CN102797011A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110196667.X

申请日：2011-07-14

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 林智清 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: C23F1/08 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的脉冲式蚀刻方法及系统，方法包括：提供一半导体基板，其中一金属层设置于该半导体基板上，且一硬式掩模涂敷于该金属层之上；将该半导体基板插入一处理腔内；导引多种蚀刻气体进入该处理腔内，包括选自碳、氢及氟三种元素的至少两种元素的一沉积气体添加入该些蚀刻气体中，而该些蚀刻气体选自氯气、三氯化硼气体、溴化氢气体及其混合的气体；施加一脉冲调变的高频电压于一对电极之间，该对电极设于处理腔中，并相互地相对设置以固持该半导体基板，使得高频电压经由开启及关闭来建立占空比；产生介于该对电极之间的一等离子体；利用该等离子体来蚀刻该半导体基板，以减少侧向蚀刻、沟壁内凹及反应性离子蚀刻延迟。

公开(公告)号：CN102779727A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110324362.2

申请日：2011-10-20

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 谢明灯 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种解封集成电路封装体的方法。首先，提供集成电路封装体。所述集成电路封装体至少包含一组电路和包围电路的封装材料。其次，提供腐蚀溶液，透过所述腐蚀溶液间断的接触封装材料的预定区域来刻蚀所述的封装材料。因此，腐蚀溶液仅从预定区域移除封装材料，并使得集成电路封装体中的电路因此暴露出来。

公开(公告)号：CN102760757A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110196674.X

申请日：2011-07-08

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 苏国辉 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，其中该铜-铝电路连线包含一氮化硅铜(CuSiN)层。根据本发明的一实施例的包含铜-铝电路连线的集成电路结构制备方法，其包含以下步骤：提供一铜层；形成一包含氮化硅铜层的阻障层于该铜层上；形成一湿润层于该阻障层上；及形成一铝层于该湿润层上。本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，以减少阻障层厚度及防止填隙问题(例如悬突及其他侧边效应)。

公开(公告)号：CN102760700A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110165411.2

申请日：2011-06-14

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 何家铭 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，其上具有晶体管，其中该晶体管包括罩幕层及形成于该罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；在该基板之上形成介电层，并覆盖该晶体管；移除该介电层的部份，以露出该晶体管的顶部；在该介电层与该晶体管的该顶部上顺应地形成阻障层；蚀刻该阻障层，在该晶体管的该一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将该保护阻障物与该罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出该晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口及由该保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在该自对准接触开口内形成导电层以接触该晶体管该源极/汲极区。

公开(公告)号：CN102760669A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210037335.1

申请日：2012-02-17

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 吴铁将 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/2257 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种形成埋入式位线的方法，其特征在于包括下列步骤。提供一衬底，且衬底具有一条状区域。在衬底的条状区域中形成一条状沟渠，其中条状沟渠具有一侧壁以及一底面。然后，加大条状沟渠的底面，使底面形成一弧状底面。接下来，在邻近弧状底面的衬底中形成一掺杂区。最后，在掺杂区旁形成一埋入式导电层。

公开(公告)号：CN102738222A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110382415.6

申请日：2011-11-24

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 吴铁将 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10879 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其栅极结构具有至少一圆柱状鳍使得栅极结构的底部形成凹凸状，前述的凹入式栅极晶体管包含：半导体基底、第一絶缘区和第二絶缘区设置在半导体基底中，主动区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间、栅极结构设置在半导体基底中，栅极结构的下部分包含一个前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍设置在第一絶缘区，中间鳍设置在主动区域中，后方鳍设置在第二絶缘区，前方鳍和后方鳍均为圆柱形、源极掺杂区位在栅极结构的一侧以及漏极掺杂区位在栅极结构的另一侧。

公开(公告)号：CN102738122A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110190395.2

申请日：2011-07-08

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 傅国贵 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/02

CPC classification number: G03F1/50

Abstract: 本发明提供一种检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片，该双重图案技术中的检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶片，该半导体晶片具有至少一相应该检验图案的目标图案。本发明另提供一种利用该检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，通过比对该目标图案及该检验图案相应的缝合关键尺寸，以检查图案缝合区域中的图案线段位移及增加集成电路布局的可靠度及可印制性。

公开(公告)号：CN102737972A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110306672.1

申请日：2011-10-10

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 吴铁将 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66621

Abstract: 本发明公开了一种沟槽式栅极结构，包括：基底，具有沟槽，其中沟槽包含内侧表面，而且沟槽分成下部区和上部区，栅极介电层设置于沟槽的内侧表面上，下部栅极电极设置于沟槽的下部区而且位于栅极介电层上，其中下部栅极电极包含凸出弧面，一个间隙壁位于沟槽的上部区且位于栅极介电层上，和一个位于沟槽的上部区并且设于下部栅极电极上方的上部电极。

公开(公告)号：CN1322553C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200310114865.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 黄则尧 ,  陈逸男

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种形成接触孔的改进方法。本发明的方法包含如下步骤：提供一基底；根据需要在该基底上形成多个适当的工作层；在这些工作层中的最上面一层上形成一多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一抗反射层；在所述抗反射层上形成光致抗蚀剂层以界定接触孔形成的位置；移除所述抗反射层中未被光致抗蚀剂覆盖的部分；移除所述光致抗蚀剂层；移除所述多晶硅层中未被剩下的抗反射层覆盖的部份；以及以剩下的多晶硅层作为掩膜进行蚀刻以形成接触孔。移除部分多晶硅层的步骤包含部分地移除多晶硅层中未被剩下的抗反射层覆盖的部份以形成凹陷；移除抗反射层；以及打开多晶硅层的凹陷部分以形成开口。

公开(公告)号：CN1309043C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03109397.3

申请日：2003-04-08

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 吴昌荣 ,  陈逸男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供了一种增加沟槽电容器的电容的方法，包括下列步骤：提供一基底；于基底表面形成一垫层结构；于垫层结构上形成一光阻图案，而未被光阻图案所覆盖的区域是定义沟槽的区域；以光阻图案与垫层结构作为蚀刻掩膜，于基底中形成一沟槽；去除光阻图案；于沟槽下部形成一沟槽电容器；于沟槽电容器上方形成一第一绝缘层；于第一绝缘层上方形成一磊晶层衬垫于沟槽侧壁上，以缩小沟槽的开口微距；以及去除未被磊晶层所覆盖的第一绝缘层。